发明公开
- 专利标题： 化合物半导体外延晶片及其制造方法
- 专利标题（英）： Compound semiconductor epitaxial wafer and process for producing the same
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申请号： CN200880109044.0申请日： 2008-10-07
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公开(公告)号： CN101809769A公开(公告)日： 2010-08-18
- 发明人: 久米史高 , 筱原政幸
- 申请人： 信越半导体株式会社
- 申请人地址： 日本国东京都
- 专利权人： 信越半导体株式会社
- 当前专利权人： 信越半导体株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国东京都
- 代理机构： 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理商 楼高潮
- 优先权： 2007-264404 2007.10.10 JP
- 国际申请： PCT/JP2008/068229 2008.10.07
- 国际公布： WO2009/048056 JA 2009.04.16
- 进入国家日期： 2010-03-26
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; C23C16/30 ; C30B25/18 ; C30B29/40 ; H01L21/205
摘要：
根据金属有机化合物气相外延法，具有以 方向作为基准方向，倾斜角为10°到20°之间的主轴的GaAs单结晶基板(1)上，依次形成由包含两个或多个以上III族元素的(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中0≤x≤1，0＜y≤1)构成的发光层部(24)和第一GaP层(7a)。其中，倾斜角用氢化物气相外延法，在第一GaP层(7a)上形成第二GaP层(7b)，(7c)。第二GaP层(7b)，(7c)作为二阶段生长，以第一生长速度的低速生长区域(7b)和以高于上述第一生长速度的第二生长速度的高速生长区域(7c)，在整个生长过程中，速度在10μm/hr到40μm/hr之间。从而提供一种化合物半导体外延晶片及其制造方法，它能够抑制通过氢化物气相外延法形成的厚的窗口层时产生的小丘高度。
公开/授权文献
- CN101809769B 化合物半导体外延晶片及其制造方法 公开/授权日：2011-12-14
IPC分类:
