发明授权
- 专利标题： 用于化学相沉积过程的有机金属前体
- 专利标题（英）： Organometallic precursors for use in chemical phase deposition processes
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申请号： CN200880106411.1申请日： 2008-07-24
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公开(公告)号： CN101801988B公开(公告)日： 2013-03-06
- 发明人: R·坎卓利亚 , R·奥迪德拉 , N·宝格
- 申请人： 西格玛-奥吉奇公司
- 申请人地址： 美国密苏里州
- 专利权人： 西格玛-奥吉奇公司
- 当前专利权人： 西格玛-奥吉奇公司
- 当前专利权人地址： 美国密苏里州
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 郭建新
- 优先权： 60/951,601 2007.07.24 US
- 国际申请： PCT/US2008/071014 2008.07.24
- 国际公布： WO2009/015270 EN 2009.01.29
- 进入国家日期： 2010-03-10
- 主分类号： C07F15/00
- IPC分类号： C07F15/00 ; C07F15/02 ; C23C16/16 ; C23C16/18 ; C23C16/455
摘要：
提供了有机金属前体。所述前体在结构上对应于式I：Cp(R)nM(CO)2(X)，其中M是Ru、Fe或O s；R是C1-C10-烷基；X是C1-C10-烷基；且n是1、2、3、4或5。所述前体能用于化学相沉积过程，例如原子层沉积(ALD)和化学蒸气沉积(CVD)。
公开/授权文献
- CN101801988A 用于化学相沉积过程的有机金属前体 公开/授权日：2010-08-11
