发明授权
CN101788769B 曝光形成半导体器件当层的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 曝光形成半导体器件当层的方法
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申请号： CN200910045821.6申请日： 2009-01-23
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公开(公告)号： CN101788769B公开(公告)日： 2011-12-21
- 发明人: 肖楠 , 邢一飞
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京德琦知识产权代理有限公司
- 代理商 王一斌; 王琦
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; G03F9/00
摘要：
本发明公开了一种曝光形成半导体器件当层的方法，关键在于，包括：A、曝光台对准前层时，曝光台测量前层对准标记，得到前层晶圆的特征信息；曝光台测量前层叠对精准测量标识，得到前层中曝光单元的特征信息；B、将所述前层晶圆的特征信息和曝光单元的特征信息，反馈给曝光台；C、曝光台根据反馈的晶圆的特征信息和曝光单元的特征信息进行曝光形成当层。采用该方法能够大大提高晶圆生产的效率。
公开/授权文献
- CN101788769A 曝光形成半导体器件当层的方法 公开/授权日：2010-07-28
IPC分类:
