发明授权
- 专利标题: 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法
- 专利标题(英): Pixel structure for active matrix organic light-emitting diode and manufacturing method thereof
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申请号: CN200810226096.8申请日: 2008-11-06
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公开(公告)号: CN101740605B公开(公告)日: 2014-05-14
- 发明人: 张弥
- 申请人: 北京京东方光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市经济技术开发区西环中路8号
- 专利权人: 北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市经济技术开发区西环中路8号
- 代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 韩国胜
- 主分类号: H01L27/32
- IPC分类号: H01L27/32 ; H01L23/522 ; H01L21/84 ; H01L21/768
摘要:
本发明涉及一种有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法。有源矩阵有机发光二极管像素结构包括形成在基板上并限定了像素区域的第一栅线、信号线和电源线,所述像素区域内分别形成有作为寻址元件的第一薄膜晶体管、控制有机发光二极管的第二薄膜晶体管、第一像素电极和第二像素电极,所述像素区域内还形成有作为第二薄膜晶体管栅电极的第二栅线,所述第二栅线与所述第一栅线同层设置且与所述第一像素电极连接。本发明通过在基板上设置第二栅线,且第二栅线与第一栅线在同一次构图工艺中完成,因此与现有技术九次构图工艺和顺序结构形式相比,使本发明不仅减少了工艺步骤,而且减少了像素结构的厚度。
公开/授权文献
- CN101740605A 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法 公开/授权日:2010-06-16
IPC分类: