发明授权
CN101615619B 半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体器件
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申请号: CN200910141718.1申请日: 2005-03-09
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公开(公告)号: CN101615619B公开(公告)日: 2011-11-30
- 发明人: 山崎舜平 , 荒尾达也
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 秦晨
- 优先权: 2004-070788 2004.03.12 JP
- 分案原申请号: 2005800079582 2005.03.09
- 主分类号: H01L27/13
- IPC分类号: H01L27/13 ; H01Q23/00 ; H01Q1/38 ; G06K19/077
摘要:
一种半导体器件,例如本发明的ID芯片,包括使用半导体元件的集成电路,和与集成电路相连的天线,其中半导体元件是通过使用半导体膜构造的。优选机将天线与集成电路构造在一起,因为这样可以增强ID芯片的机械强度。注意,本发明中使用的天线还包括环绕或螺旋缠绕的导线和布置在导线之间的软磁材料微粒。
公开/授权文献
- CN101615619A 半导体器件 公开/授权日:2009-12-30
IPC分类: