发明授权
CN101607819B 介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器
失效 - 权利终止
- 专利标题: 介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器
- 专利标题(英): Dielectric ceramic combination and multilayer ceramic capacitor made from same
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申请号: CN200910160105.2申请日: 2009-07-17
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公开(公告)号: CN101607819B公开(公告)日: 2012-01-25
- 发明人: 裴修祥 , 吴旻修 , 王伟宸
- 申请人: 苏州达方电子有限公司 , 达方电子股份有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市高新区竹园路99号
- 专利权人: 苏州达方电子有限公司,达方电子股份有限公司
- 当前专利权人: 苏州达方电子有限公司,达方电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市高新区竹园路99号
- 主分类号: C04B35/49
- IPC分类号: C04B35/49 ; H01G4/30 ; H01G4/12
摘要:
本发明揭露一种介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器。介电陶瓷组合物包括主成份、第一掺杂物、第二掺杂物及玻璃质成份。主成份由(BaxSryCa1-x-y)m(TizZr1-z)O3组成,其中0<x<0.6,0.1<y<0.7,0.03<z<0.1且0.8<m<1.2。第一掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003~0.075之间,且第一掺杂物为锰、铬、钒或铁的氧化物。第二掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003~0.03之间,且第二掺杂物为钇、铽、镝、钬、铒、铥或镱的氧化物。玻璃质成份与主成份的摩尔比例值介于0.002~0.02之间。此介电陶瓷组合物可在1150℃~1300℃完成烧结致密化。
公开/授权文献
- CN101607819A 介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器 公开/授权日:2009-12-23
IPC分类: