图像传感器半导体器件

发明授权

CN101241923B 图像传感器半导体器件有权

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专利标题： 图像传感器半导体器件
专利标题（英）： Image sensor semiconductor device
申请号： CN200710127069.0

申请日： 2007-06-28
公开(公告)号： CN101241923B

公开(公告)日： 2011-08-24
发明人: 王文德 , 杨敦年 , 许慈轩 , 庄建祥
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区
代理机构： 北京市柳沈律师事务所
代理商 陶凤波
优先权： 11/672,681 2007.02.08 US
主分类号： H01L27/146
IPC分类号： H01L27/146

摘要：

本发明公开了一种图像传感器半导体器件。此半导体器件包括传感组件，置于半导体基板内；层间介电材料(ILD)，置于半导体基板上；以及沟槽，置于ILD内，覆盖并包围传感组件，且填充有第一介电材料。

摘要（英）：

The present disclosure provides an image sensor semiconductor device. The semiconductor device includes a sensor element disposed in a semiconductor substrate; an inter-level dielectric (ILD) disposed on the semiconductor substrate; and a trench disposed in the ILD, overlying and enclosing the sensor element, and filled with a first dielectric material.

公开/授权文献

CN101241923A 图像传感器半导体器件公开/授权日：2008-08-13

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L23/00，H01L29/00至H01L51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L25/00）
H01L27/14	.包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L31/14；光导与光电元件的耦合入G02B6/42）
H01L27/144	..由辐射控制的器件
H01L27/146	...图像结构