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半导体装置的制造方法
摘要:
本发明提供如下技术方案:从衬底剥离通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件,并将其转置到柔性衬底(典型为塑料膜)上。在本发明中,使用常规的大型玻璃衬底用制造设备,在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)并在其表面上形成氧化膜,并且在钼膜及其表面上通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件,然后从玻璃衬底剥离该元件,并将其转置到柔性衬底上。
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