发明授权
CN101064247B 半导体装置的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体装置的制造方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing semiconductor device
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申请号: CN200710100936.1申请日: 2007-04-28
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公开(公告)号: CN101064247B公开(公告)日: 2011-04-20
- 发明人: 丸山纯矢 , 神保安弘 , 小路博信 , 桑原秀明 , 山崎舜平
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王以平
- 优先权: 2006-126708 2006.04.28 JP
- 主分类号: H01L21/20
- IPC分类号: H01L21/20 ; H01L21/336 ; H01L21/762 ; H01L21/84 ; H01L51/40
摘要:
本发明提供如下技术方案:从衬底剥离通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件,并将其转置到柔性衬底(典型为塑料膜)上。在本发明中,使用常规的大型玻璃衬底用制造设备,在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)并在其表面上形成氧化膜,并且在钼膜及其表面上通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件,然后从玻璃衬底剥离该元件,并将其转置到柔性衬底上。
公开/授权文献
- CN101064247A 半导体装置的制造方法 公开/授权日:2007-10-31
IPC分类: