- 专利标题: 补偿存储单元编程状态之间的读余量减少的闪存系统
- 专利标题(英): Flash memory system compensating reduction in read margin between memory cell program states
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申请号: CN200710003744.9申请日: 2007-01-24
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公开(公告)号: CN101009137B公开(公告)日: 2012-01-25
- 发明人: 姜相求 , 林瀛湖
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 李芳华; 邸万奎
- 优先权: 7414/06 2006.01.24 KR
- 主分类号: G11C16/10
- IPC分类号: G11C16/10 ; G11C16/06
摘要:
存储系统包括:闪存;以及存储控制器,被配置为控制闪存。所述存储控制器确定在编程操作期间从主机提供的编程数据是否都被存储在闪存中。当确定结果是该编程数据都被存储在所述闪存中时,所述存储控制器控制所述闪存,以便对其中存储了编程数据的最终字线的下一个字线执行伪编程操作。
公开/授权文献
- CN101009137A 补偿存储单元编程状态之间的读余量减少的闪存系统 公开/授权日:2007-08-01