发明授权
CN100588616C 单一阴离子柱撑水滑石的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 单一阴离子柱撑水滑石的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing single anion anion pillared hydrotalcite
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申请号: CN200810137468.X申请日: 2008-11-06
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公开(公告)号: CN100588616C公开(公告)日: 2010-02-10
- 发明人: 王君 , 刘琦 , 张艳 , 李占双 , 张光春 , 刘岩峰 , 景晓燕 , 张密林
- 申请人: 哈尔滨工程大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号1号楼哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室
- 专利权人: 哈尔滨工程大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工程大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号1号楼哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室
- 主分类号: C01G1/00
- IPC分类号: C01G1/00
摘要:
本发明提供的是一种单一阴离子柱撑水滑石的制备方法。在室温下,按照M(II)/M(III)摩尔比为2-4的比例,分别称取M(II)(NO3)2·6H2O和M(III)(NO3)3·9H2O配制成硝酸盐水溶液;另取NaOH和Na2CO3配制成碱液,在强烈的磁力搅拌下,将上述碱液、硝酸盐水溶液同时逐滴等速加入到容器中,并滴至pH为10.0±0.5;将上述混合浆液于65℃温度下陈化8h,过滤,反复洗涤至中性,在70℃的真空于燥箱内干燥24h;干燥后的物质在450℃温度下焙烧2h,形成双金属氧化物;在N2保护下,将焙烧后的双金属氧化物置于装有具有单一阴离子溶液的容器,并放入恒温振荡器中于180r/min振荡24h,过滤,洗涤两三次后干燥制得产品。本发明利用了水滑石的“记忆效应”,LDHs的层状结构重建,使阴离子进入层间从而形成新结构LDHs。
公开/授权文献
- CN101391797A 单一阴离子柱撑水滑石及其制备方法 公开/授权日:2009-03-25
IPC分类: