发明授权
- 专利标题： 半导体器件
- 专利标题（英）： Semiconductor device
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申请号： CN200610092362.3申请日： 2006-06-01
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公开(公告)号： CN100580805C公开(公告)日： 2010-01-13
- 发明人: 堂野千晶 , 越川康二
- 申请人： 尔必达存储器株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 尔必达存储器株式会社
- 当前专利权人： PS4拉斯口有限责任公司
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 杨林森; 谷惠敏
- 优先权： 2005-160948 2005.06.01 JP
- 主分类号： G11C11/403
- IPC分类号： G11C11/403 ; G11C11/406
摘要：
在半导体器件中，内部地产生的电源电压VPP被监视。如果内部地产生的电源电压VPP低于下限电压，那么选择连续刷新作为双刷新操作模式。在连续刷新中，用于配对地址的双刷新被插入下一刷新周期中。通过连续刷新，抑制内部地产生的电源电压VPP的减小。
公开/授权文献
- CN1877737A 半导体器件 公开/授权日：2006-12-13
