知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN100578811C 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 失效 - 权利终止

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
摘要：
本发明涉及一种包括半导体衬底的金属氧化物半导体晶体管，所述衬底包括邻近衬底表面的源区和漏区以及源区和漏区之间的漂移区。所述漂移区具有一杂质浓度分布使得所述漂移区的峰值杂质浓度从衬底表面转移。漂移区的峰值杂质浓度可提供在漂移区中的后退区中，该后退区在衬底表面下面且通过预定的距离与之分开。还讨论了相关制造方法。
摘要（英）：

The invention relates to a metal-oxide semiconductor transistor which includes a semiconductor substrate including a source region and a drain region adjacent a surface of the substrate and a drift region between the source region and the drain region. The drift region has an impurity concentration distribution such that a peak impurity concentration of the drift region is displaced from the surface of the substrate. The peak impurity concentration of the drift region may be provided in a retrograde region in the drift region below the surface of the substrate and separated therefrom by a predetermined distance. Related methods of fabrication are also discussed.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
0/0