发明授权
CN100524643C 半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and method for manufacturing the same
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申请号： CN200710100937.6申请日： 2007-04-28
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公开(公告)号： CN100524643C公开(公告)日： 2009-08-05
- 发明人: 井野恒洋 , 中崎靖
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 陈昕
- 优先权： 2006-125735 2006.04.28 JP
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/3105 ; H01L21/314 ; H01L29/51
摘要：
本发明提供尽量提高介电常数且降低制造成本的半导体装置及其制造方法。该方法具有：在半导体基板上形成包含(HfzZr1-z)xSi1-xO2-y(0.81≤x≤0.99、0.04≤y≤0.25、0≤z≤1)的非晶态膜的步骤；在含有氧的气氛中对所述非晶态膜进行大于等于750℃的退火处理，形成包含正方晶(HfzZr1-z)xSi1-xO2的绝缘膜的步骤；所述组成中的x、y、z的范围是由XPS法测定的值。
公开/授权文献
- CN101064252A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2007-10-31
IPC分类:
