Invention Grant
CN100411190C BiCMOS结构和在BiCMOS工艺中形成基极的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: BiCMOS结构和在BiCMOS工艺中形成基极的方法
- Patent Title (English): BiCMOS structure and method of base formation in a BiCMOS process
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Application No.: CN200510053789.8Application Date: 2005-03-11
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Publication No.: CN100411190CPublication Date: 2008-08-13
- Inventor: P·J·热斯 , M·H·哈提尔 , 刘奇志 , R·W·曼 , R·J·珀特尔 , B·雷尼 , J-S·李 , A·D·斯特里克
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee Address: 美国纽约
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 于静; 李峥
- Priority: 10/708,598 2004.03.13 US
- Main IPC: H01L29/73
- IPC: H01L29/73 ; H01L29/737 ; H01L21/331 ; H01L21/28 ; H01L21/8249
Abstract:
本发明提供了制造具有抬升外部基极的异质结双极晶体管的方法，其中，通过在抬升外部基极上形成硅化物，降低了基极电阻，所述硅化物以自对准的方式向发射极区域延伸。在形成抬升外部基极之后，将硅化物的形成结合到BiCMOS工艺流程中。本发明还提供了一种异质结双极晶体管，其具有抬升外部基极和位于抬升外部基极上的硅化物。在抬升外部基极上的硅化物以自对准的方式向发射极延伸。发射极通过衬垫与硅化物隔开。
Public/Granted literature
- CN1667834A 在BiCMOS工艺中形成基极的方法 Public/Granted day:2005-09-14
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IPC分类:
