发明授权
CN100371510C 压电单晶、压电单晶元件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 压电单晶、压电单晶元件及其制造方法
- 专利标题(英): Piezoelectric single crystal, piezoelectric single crystal element and method for producing the same
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申请号: CN200480030194.4申请日: 2004-10-14
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公开(公告)号: CN100371510C公开(公告)日: 2008-02-27
- 发明人: 松下三芳 , 岩崎洋介
- 申请人: 杰富意矿物股份有限公司
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 杰富意矿物股份有限公司
- 当前专利权人: 杰富意矿物股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 樊卫民; 郭国清
- 优先权: 353687/2003 2003.10.14 JP
- 国际申请: PCT/JP2004/015558 2004.10.14
- 国际公布: WO2005/035840 JA 2005.04.21
- 进入国家日期: 2006-04-14
- 主分类号: C30B29/30
- IPC分类号: C30B29/30 ; C30B29/32 ; H01L41/08 ; H01L41/187 ; H01L41/24
摘要:
通过在镁铌酸铅-钛酸铅(PMN-PT)单晶或锌铌酸-钛酸铅(PZN-PT或PZNT)单晶中添加特定的添加物,提供一种压电特性优良且价格低廉的复合钙钛矿结构的压电单晶元件等。具体而言,压电单晶具有复合钙钛矿结构,是一种含有35~98mol%的镁铌酸铅[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]或锌铌酸铅[Pb(Zn1/3Nb2/3)O3]、0.1~64.9mol%的钛酸铅[PbTiO3]以及0.05~30mol%的铟铌酸铅[Pb(In1/2Nb1/2)O3]的组成物,其特征在于:该组成物中的0.05~10mol%的铅被置换为钙。
公开/授权文献
- CN1867705A 压电单晶、压电单晶元件及其制造方法 公开/授权日:2006-11-22
IPC分类: