发明授权
CN100347857C 功率半导体装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 功率半导体装置
- 专利标题(英): Power semiconductor device
-
申请号: CN03107322.0申请日: 2003-03-20
-
公开(公告)号: CN100347857C公开(公告)日: 2007-11-07
- 发明人: 白泽敬昭 , 高武靖夫 , 高山刚 , 辻夏树
- 申请人: 三菱电机株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 刘宗杰; 叶恺东
- 优先权: 205099/02 2002.07.15 JP
- 主分类号: H01L25/07
- IPC分类号: H01L25/07 ; H01L27/02 ; H01L23/48
摘要:
提供一种没有用导线进行的连接的功率半导体装置。IGBT121及二极管131接合在第一端子构件111的元件配置部分111a上,第二端子构件112的元件配置部分112a接合在IGBT121及二极管131上。另外,IGBT122及二极管132接合在第二端子构件112的元件配置部分112a上,第三端子构件113的元件配置部分113a接合在IGBT122及二极管132上。形成传送模外壳141,以便收容元件121、122、31、132。端子构件111、112、113的外部连接部分111b、112b、113b被引出到外壳141以外。第一及/或第三端子构件111、113的元件配置部分111a、113a从外壳露出。
公开/授权文献
- CN1469469A 功率半导体装置 公开/授权日:2004-01-21
IPC分类: