公开(公告)号：US20080191233A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US12000040

申请日：2007-12-07

申请人： Yu-Cheng Yang ,  Cheng-Ta Kuo ,  Sen-Pin Huang ,  Li-Ping Jou

发明人： Yu-Cheng Yang ,  Cheng-Ta Kuo ,  Sen-Pin Huang ,  Li-Ping Jou

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/0079

摘要： A light-emitting diode and method for manufacturing the same are described. The light-emitting diode comprises: a conductive substrate including a first surface and a second surface on opposite sides; a reflector structure comprising a conductive reflector layer bonding to the first surface of the conductive substrate and a conductive distributed Bragg reflector (DBR) structure stacked on the conductive reflector layer; an illuminant epitaxial structure disposed on the reflector structure; a first electrode disposed on a portion of the illuminant epitaxial structure; and a second electrode bonded to the second surface of the conductive substrate.

摘要翻译： 描述了一种发光二极管及其制造方法。 发光二极管包括：导电基板，包括第一表面和相对侧上的第二表面; 反射器结构，其包括结合到所述导电基板的所述第一表面的导电反射器层和层叠在所述导电反射器层上的导电分布布拉格反射器（DBR）结构; 设置在反射器结构上的光源外延结构; 设置在所述发光体外延结构的一部分上的第一电极; 以及结合到导电基板的第二表面的第二电极。