公开(公告)号：US20110284891A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US13204750

申请日：2011-08-08

申请人： THEODORE CHUNG ,  ANNELI MUNKHOLM

发明人： THEODORE CHUNG ,  ANNELI MUNKHOLM

IPC分类号： H01L33/30

CPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405

摘要： A device includes a semiconductor structure with at least one III-P light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region. The semiconductor structure further includes a GaAsxP1-x p-contact layer, wherein x

摘要翻译： 一种器件包括具有设置在n型区域和p型区域之间的至少一个III-P发光层的半导体结构。 半导体结构还包括GaAs xP 1-x p接触层，其中x <0.45。 第一金属触点与GaAsxP1-x p-接触层直接接触。 第二金属触点电连接到n型区域。 第一和第二金属触点形成在半导体结构的同一侧上。

公开(公告)号：US20110121358A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US13017074

申请日：2011-01-31

申请人： JUNKO KOBAYASHI ,  WERNER K. GOETZ ,  ANNELI MUNKHOLM

发明人： JUNKO KOBAYASHI ,  WERNER K. GOETZ ,  ANNELI MUNKHOLM

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： H01L33/305 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382

摘要： A semiconductor structure includes a light emitting region, a p-type region disposed on a first side of the light emitting region, and an n-type region disposed on a second side of the light emitting region. At least 10% of a thickness of the semiconductor structure on the first side of the light emitting region comprises indium. Some examples of such a semiconductor light emitting device may be formed by growing an n-type region, growing a p-type region, and growing a light emitting layer disposed between the n-type region and the p-type region. The difference in temperature between the growth temperature of a part of the n-type region and the growth temperature of a part of the p-type region is at least 140° C.

摘要翻译： 半导体结构包括发光区域，设置在发光区域的第一侧上的p型区域和设置在发光区域的第二侧上的n型区域。 发光区域的第一侧的半导体结构的厚度的至少10％包括铟。 可以通过生长n型区域，生长p型区域以及生长设置在n型区域和p型区域之间的发光层来形成这种半导体发光器件的一些示例。 n型区域的一部分的生长温度与p型区域的一部分的生长温度之间的温度差为至少140℃。

公开(公告)号：US20090152584A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US11957031

申请日：2007-12-14

申请人： PATRICK N. GRILLOT ,  RAFAEL I. ALDAZ ,  DEBORAH L. COBLENTZ ,  ANNELI MUNKHOLM ,  HANMIN ZHAO

发明人： PATRICK N. GRILLOT ,  RAFAEL I. ALDAZ ,  DEBORAH L. COBLENTZ ,  ANNELI MUNKHOLM ,  HANMIN ZHAO

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025

摘要： In some embodiments of the invention, a transparent substrate AlInGaP device includes an etch stop layer that may be less absorbing than a conventional etch stop layer. In some embodiments of the invention, a transparent substrate AlInGaP device includes a bonded interface that may be configured to give a lower forward voltage than a conventional bonded interface. Reducing the absorption and/or the forward voltage in a device may improve the efficiency of the device.

摘要翻译： 在本发明的一些实施例中，透明衬底AlInGaP器件包括可以比常规蚀刻停止层更少吸收的蚀刻停止层。 在本发明的一些实施例中，透明衬底AlInGaP器件包括可被配置为给出比常规接合界面更低的正向电压的接合界面。 降低装置中的吸收和/或正向电压可以提高装置的效率。