公开(公告)号：US07972931B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US11623775

申请日：2007-01-17

申请人： Sangsig Kim ,  Kyoung-Ah Cho ,  Dong-Won Kim ,  Jae-Won Jang

发明人： Sangsig Kim ,  Kyoung-Ah Cho ,  Dong-Won Kim ,  Jae-Won Jang

IPC分类号： H01L21/477

CPC分类号： H01L29/78681 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936

摘要： The present invention relates to a method of manufacturing thin-film transistors using nanoparticles and thin film transistors manufactured by the method. A hydrophilic buffer layers are deposited on the substrates to facilitate formation of nanoparticle films. Sintered nanoparticles are used as an active layer and dielectric materials of high dielectric coefficient are also used as a gate dielectric layer to form a top gate electrode on the gate dielectric layer, thereby enabling low-voltage operation and low-temperature fabrication.

摘要翻译： 本发明涉及使用由该方法制造的纳米粒子和薄膜晶体管制造薄膜晶体管的方法。 在衬底上沉积亲水性缓冲层以促进纳米颗粒膜的形成。 使用烧结纳米粒子作为有源层，并且还使用高介电常数的介电材料作为栅极电介质层，以在栅极电介质层上形成顶部栅电极，从而实现低电压操作和低温制造。