公开(公告)号：US20150220389A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：US14601659

申请日：2015-01-21

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Kyung-jin KIM ,  Ung-hwan KIM ,  Eun-cheol KIM ,  Jun-jin KONG ,  Se-jin LIM

IPC分类号： G06F11/10 ,  H03M13/37

CPC分类号： H03M13/3738 ,  G06F11/1048 ,  H03M13/1108 ,  H03M13/1111 ,  H03M13/3715 ,  H03M13/3746

摘要： A method of reading multi-bit data stored in a memory cell of a flash memory includes attempting to perform hard decision (HD) decoding on output data from the flash memory, and performing soft decision (SD) decoding on the output data when the HD decoding cannot be performed. The performing of the SD decoding includes: changing a maximum number of iterations according to a threshold voltage distribution of the memory cell; and performing the SD decoding based on the changed maximum number of iterations.

摘要翻译： 读取存储在闪速存储器的存储单元中的多位数据的方法包括尝试对来自闪速存储器的输出数据执行硬判决（HD）解码，以及当HD处理时对输出数据执行软判决（SD）解码 无法执行解码。 SD解码的执行包括：根据存储器单元的阈值电压分布来改变最大迭代次数; 以及基于改变的最大迭代次数执行SD解码。