公开(公告)号：US08652886B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13870053

申请日：2013-04-25

Applicant: Samsung Display Co., Ltd.

Inventor： Hyeong-Suk Yoo ,  Ho-Jun Lee ,  Sung-Ryul Kim ,  O-Sung Seo ,  Hong-Kee Chin

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

Abstract: A method of manufacturing a thin film transistor array substrate includes forming a gate pattern on a substrate, forming a gate insulating film on the substrate, forming a source/drain pattern and a semiconductor pattern on the substrate, forming first, second, and third passivation films successively on the substrate. Over the above multi-layered passivation film forming a first photoresist pattern including a first portion formed on part of the drain electrode and on the pixel region, and a second portion. The second portion is thicker than the first portion. Then, patterning the third passivation film using the first photoresist pattern, forming a second photoresist pattern by removing the first portion of the first photoresist pattern, forming a transparent electrode film on the substrate, removing the second photoresist pattern and the transparent electrode film disposed on the second photoresist pattern, and forming a transparent electrode pattern on the second passivation layer.

Abstract translation: 制造薄膜晶体管阵列基板的方法包括在基板上形成栅极图案，在基板上形成栅极绝缘膜，在基板上形成源/漏图案和半导体图案，形成第一，第二和第三钝化层 胶片依次在基材上。 在上述多层钝化膜上形成包括形成在漏电极的一部分上和在像素区域上的第一部分的第一光致抗蚀剂图案和第二部分。 第二部分比第一部分厚。 然后，使用第一光致抗蚀剂图案图案化第三钝化膜，通过去除第一光致抗蚀剂图案的第一部分形成第二光致抗蚀剂图案，在基板上形成透明电极膜，去除设置在第一光致抗蚀剂图案上的第二光致抗蚀剂图案和透明电极膜 第二光致抗蚀剂图案，并且在第二钝化层上形成透明电极图案。