公开(公告)号：US20130234273A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13767135

申请日：2013-02-14

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.

Inventor： YunKi Lee ,  Seunghoon Kim ,  YONGSICK KIM ,  CHANGROK MOON

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: The inventive concept provides image sensors and methods of forming the same. In the image sensor, a surface trap region may be disposed to be adjacent to a surface of a substrate lens component. Thus, a dark current characteristic may be improved.

Abstract translation: 本发明构思提供了图像传感器及其形成方法。 在图像传感器中，可以将表面捕获区域设置为与衬底透镜部件的表面相邻。 因此，可以提高暗电流特性。