公开(公告)号：US20130056691A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13660293

申请日：2012-10-25

申请人： Moxtronics, Inc.

发明人： Yungryel Ryu ,  Tae-Seok Lee ,  Henry W. White

IPC分类号： H01B1/08 ,  C01B19/00 ,  C01G9/02

CPC分类号： H01L33/28 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01G9/00 ,  C01G11/00 ,  C01G11/006 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/46 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/22 ,  H01L29/221 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3018

摘要： Materials and structures for improving the performance of semiconductor devices include ZnBeO alloy materials, ZnCdOSe alloy materials, ZnBeO alloy materials that may contain Mg for lattice matching purposes, and BeO material. The atomic fraction x of Be in the ZnBeO alloy system, namely, Zn1-xBexO, can be varied to increase the energy band gap of ZnO to values larger than that of ZnO. The atomic fraction y of Cd and the atomic fraction z of Se in the ZnCdOSe alloy system, namely, Zn1-yCdyO1-zSez, can be varied to decrease the energy band gap of ZnO to values smaller than that of ZnO. Each alloy formed can be undoped, or p-type or n-type doped, by use of selected dopant elements.

摘要翻译： 用于提高半导体器件性能的材料和结构包括ZnBeO合金材料，ZnCdOSe合金材料，可能含有用于晶格匹配目的的Mg的ZnBeO合金材料和BeO材料。 可以改变ZnBeO合金体系中Be的原子分数x，即Zn1-xBexO，从而将ZnO的能带隙增加到比ZnO大的值。 可以改变ZnCdOSe合金体系中Cd的原子分数y和Se的原子分数z，即Zn1-yCdyO1-zSez，从而将ZnO的能带隙减小到小于ZnO的能带。 通过使用所选择的掺杂元素，形成的每种合金可以是未掺杂的，或者是p型掺杂或n型掺杂的。