公开(公告)号：US20080006825A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11858287

申请日：2007-09-20

申请人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

发明人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L27/3244 ,  H01L27/3262

摘要： An electro-luminescence device including an electro-luminescence element and a thin film transistor electrically connected to the electro-luminescence element. The thin film transistor includes a gate electrode formed over a substrate, an insulating layer formed over the gate electrode, and a first semiconductor pattern formed over the insulating layer. An etch stop layer is formed over the first semiconductor layer. A second semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at one side of the etch stop layer, and a third semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at another side of the etch stop layer. A source electrode is formed over the second semiconductor pattern, and a drain electrode is formed over the third semiconductor pattern.

摘要翻译： 一种电致发光器件，包括电连接到电致发光元件的电致发光元件和薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括形成在衬底上的栅电极，形成在栅电极上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的第一半导体图案。 在第一半导体层上形成蚀刻停止层。 在蚀刻停止层的一侧上的蚀刻停止层上形成第二半导体图案，并且在蚀刻停止层的另一侧上形成第三半导体图案。 在第二半导体图案上形成源电极，在第三半导体图案上形成漏电极。

公开(公告)号：US07501658B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US11858287

申请日：2007-09-20

申请人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

发明人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L27/3244 ,  H01L27/3262

摘要： An electro-luminescence device including an electro-luminescence element and a thin film transistor electrically connected to the electro-luminescence element. The thin film transistor includes a gate electrode formed over a substrate, an insulating layer formed over the gate electrode, and a first semiconductor pattern formed over the insulating layer. An etch stop layer is formed over the first semiconductor layer. A second semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at one side of the etch stop layer, and a third semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at another side of the etch stop layer. A source electrode is formed over the second semiconductor pattern, and a drain electrode is formed over the third semiconductor pattern.

摘要翻译： 一种电致发光器件，包括电连接到电致发光元件的电致发光元件和薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括形成在衬底上的栅电极，形成在栅电极上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的第一半导体图案。 在第一半导体层上形成蚀刻停止层。 在蚀刻停止层的一侧上的蚀刻停止层上形成第二半导体图案，并且在蚀刻停止层的另一侧上形成第三半导体图案。 在第二半导体图案上形成源电极，在第三半导体图案上形成漏电极。

公开(公告)号：US20050014379A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10761607

申请日：2004-01-21

申请人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

发明人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L21/311 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H05B33/00 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L27/3244 ,  H01L27/3262

摘要： An electro-luminescence device including an electro-luminescence element and a thin film transistor electrically connected to the electro-luminescence element. The thin film transistor includes a gate electrode formed over a substrate, an insulating layer formed over the gate electrode, and a first semiconductor pattern formed over the insulating layer. An etch stop layer is formed over the first semiconductor layer. A second semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at one side of the etch stop layer, and a third semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at another side of the etch stop layer. A source electrode is formed over the second semiconductor pattern, and a drain electrode is formed over the third semiconductor pattern.

摘要翻译： 一种电致发光器件，包括电连接到电致发光元件的电致发光元件和薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括形成在衬底上的栅电极，形成在栅电极上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的第一半导体图案。 在第一半导体层上形成蚀刻停止层。 在蚀刻停止层的一侧上的蚀刻停止层上形成第二半导体图案，并且在蚀刻停止层的另一侧上形成第三半导体图案。 在第二半导体图案上形成源电极，在第三半导体图案上形成漏电极。

公开(公告)号：US07768011B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US12389058

申请日：2009-02-19

申请人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

发明人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/3244 ,  H01L27/3262

摘要： An electro-luminescence device including an electro-luminescence element and a thin film transistor electrically connected to the electro-luminescence element. The thin film transistor includes a gate electrode formed over a substrate, an insulating layer formed over the gate electrode, and a first semiconductor pattern formed over the insulating layer. An etch stop layer is formed over the first semiconductor layer. A second semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at one side of the etch stop layer, and a third semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at another side of the etch stop layer. A source electrode is formed over the second semiconductor pattern, and a drain electrode is formed over the third semiconductor pattern.

摘要翻译： 一种电致发光器件，包括电连接到电致发光元件的电致发光元件和薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括形成在衬底上的栅电极，形成在栅电极上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的第一半导体图案。 在第一半导体层上形成蚀刻停止层。 在蚀刻停止层的一侧上的蚀刻停止层上形成第二半导体图案，并且在蚀刻停止层的另一侧上形成第三半导体图案。 在第二半导体图案上形成源电极，在第三半导体图案上形成漏电极。

公开(公告)号：US07994507B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12848648

申请日：2010-08-02

申请人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

发明人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/3244 ,  H01L27/3262

摘要： An electro-luminescence device including an electro-luminescence element and a thin film transistor electrically connected to the electro-luminescence element. The thin film transistor includes a gate electrode formed over a substrate, an insulating layer formed over the gate electrode, and a first semiconductor pattern formed over the insulating layer. An etch stop layer is formed over the first semiconductor layer. A second semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at one side of the etch stop layer, and a third semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at another side of the etch stop layer. A source electrode is formed over the second semiconductor pattern, and a drain electrode is formed over the third semiconductor pattern.

摘要翻译： 一种电致发光器件，包括电连接到电致发光元件的电致发光元件和薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括形成在衬底上的栅电极，形成在栅电极上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的第一半导体图案。 在第一半导体层上形成蚀刻停止层。 在蚀刻停止层的一侧上的蚀刻停止层上形成第二半导体图案，并且在蚀刻停止层的另一侧上形成第三半导体图案。 在第二半导体图案上形成源电极，在第三半导体图案上形成漏电极。

公开(公告)号：US20090152557A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12389058

申请日：2009-02-19

申请人： JOON-HOO CHOI ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

发明人： JOON-HOO CHOI ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/3244 ,  H01L27/3262

摘要： An electro-luminescence device including an electro-luminescence element and a thin film transistor electrically connected to the electro-luminescence element. The thin film transistor includes a gate electrode formed over a substrate, an insulating layer formed over the gate electrode, and a first semiconductor pattern formed over the insulating layer. An etch stop layer is formed over the first semiconductor layer. A second semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at one side of the etch stop layer, and a third semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at another side of the etch stop layer. A source electrode is formed over the second semiconductor pattern, and a drain electrode is formed over the third semiconductor pattern.

摘要翻译： 一种电致发光器件，包括电连接到电致发光元件的电致发光元件和薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括形成在衬底上的栅电极，形成在栅电极上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的第一半导体图案。 在第一半导体层上形成蚀刻停止层。 在蚀刻停止层的一侧上的蚀刻停止层上形成第二半导体图案，并且在蚀刻停止层的另一侧上形成第三半导体图案。 在第二半导体图案上形成源电极，在第三半导体图案上形成漏电极。

公开(公告)号：US07288477B2

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：US10761607

申请日：2004-01-21

申请人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

发明人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L27/3244 ,  H01L27/3262

摘要： An electro-luminescence device including an electro-luminescence element and a thin film transistor electrically connected to the electro-luminescence element. The thin film transistor includes a gate electrode formed over a substrate, an insulating layer formed over the gate electrode, and a first semiconductor pattern formed over the insulating layer. An etch stop layer is formed over the first semiconductor layer. A second semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at one side of the etch stop layer, and a third semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at another side of the etch stop layer. A source electrode is formed over the second semiconductor pattern, and a drain electrode is formed over the third semiconductor pattern.

摘要翻译： 一种电致发光器件，包括电连接到电致发光元件的电致发光元件和薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括形成在衬底上的栅电极，形成在栅电极上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的第一半导体图案。 在第一半导体层上形成蚀刻停止层。 在蚀刻停止层的一侧上的蚀刻停止层上形成第二半导体图案，并且在蚀刻停止层的另一侧上形成第三半导体图案。 在第二半导体图案上形成源电极，在第三半导体图案上形成漏电极。

公开(公告)号：US20100295051A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12848648

申请日：2010-08-02

申请人： JOON-HOO CHOI ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

发明人： JOON-HOO CHOI ,  In-Su Joo ,  Beom-Rak Choi ,  Jong-Moo Huh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/3244 ,  H01L27/3262

摘要： An electro-luminescence device including an electro-luminescence element and a thin film transistor electrically connected to the electro-luminescence element. The thin film transistor includes a gate electrode formed over a substrate, an insulating layer formed over the gate electrode, and a first semiconductor pattern formed over the insulating layer. An etch stop layer is formed over the first semiconductor layer. A second semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at one side of the etch stop layer, and a third semiconductor pattern is formed over the etch stop layer at another side of the etch stop layer. A source electrode is formed over the second semiconductor pattern, and a drain electrode is formed over the third semiconductor pattern.

摘要翻译： 一种电致发光器件，包括电连接到电致发光元件的电致发光元件和薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括形成在衬底上的栅电极，形成在栅电极上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的第一半导体图案。 在第一半导体层上形成蚀刻停止层。 在蚀刻停止层的一侧上的蚀刻停止层上形成第二半导体图案，并且在蚀刻停止层的另一侧上形成第三半导体图案。 在第二半导体图案上形成源电极，在第三半导体图案上形成漏电极。

公开(公告)号：US07859494B2

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：US11028356

申请日：2005-01-03

申请人： Joon-Hoo Choi ,  Jong-Moo Huh ,  In-Su Joo ,  Chun-Seok Ko

发明人： Joon-Hoo Choi ,  Jong-Moo Huh ,  In-Su Joo ,  Chun-Seok Ko

IPC分类号： G09G3/32

CPC分类号： G09G3/3233 ,  G09G2300/0823 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2310/0248 ,  G09G2310/0254 ,  G09G2320/043 ,  G09G2320/0626 ,  G09G2360/148

摘要： A display device is provided, which includes: a light emitting element; a storage capacitor; a driving transistor supplying driving current to the light emitting element to emit light; a first switching transistor applying a data voltage to the driving transistor and the storage capacitor in response to a first scanning signal, a light sensor sensing amount of light according to the light emission of the light emitting element and generates a sensing signal depending on the sensed light amount; and a signal controller determining luminance corresponding to the sensing signal, comparing the determined luminance and a target luminance corresponding to the data voltage, and modifies an image signal.

摘要翻译： 提供一种显示装置，其包括：发光元件; 存储电容器; 驱动晶体管，向所述发光元件提供驱动电流以发光; 第一开关晶体管，响应于第一扫描信号向驱动晶体管和存储电容器施加数据电压;光传感器，根据发光元件的光发射感测光量，并根据所感测的信号产生感测信号 光量 以及信号控制器，其确定与所述感测信号对应的亮度，将所确定的亮度与对应于所述数据电压的目标亮度进行比较，并修改图像信号。

公开(公告)号：US07663575B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US10865066

申请日：2004-06-10

申请人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beohm-Rock Choi ,  Jong-Moo Huh

发明人： Joon-Hoo Choi ,  In-Su Joo ,  Beohm-Rock Choi ,  Jong-Moo Huh

IPC分类号： G09G3/30 ,  G09G3/10

CPC分类号： G09G3/3233 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0833 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0262

摘要： A driving circuit for an organic light emitting display apparatus includes first and second switching elements and a driving element. The first switching element is controlled by a scan signal supplied from a scan line. The second switching element is controlled by the scan signal. The driving element provides an end of an organic electroluminescent element with a first reference voltage via the second switching element. The driving element has amorphous silicon thin film transistors so that the manufacturing cost of the organic light emitting display apparatus may be reduced.

摘要翻译： 用于有机发光显示装置的驱动电路包括第一和第二开关元件和驱动元件。 第一开关元件由从扫描线提供的扫描信号控制。 第二开关元件由扫描信号控制。 驱动元件通过第二开关元件提供具有第一参考电压的有机电致发光元件的端部。 驱动元件具有非晶硅薄膜晶体管，从而可以降低有机发光显示装置的制造成本。