公开(公告)号：US08816287B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13179681

申请日：2011-07-11

申请人： Irving N. Weinberg ,  Pavel Stepanov ,  Mario G. Urdaneta

发明人： Irving N. Weinberg ,  Pavel Stepanov ,  Mario G. Urdaneta

IPC分类号： G01T1/16 ,  G01T3/08 ,  G01T1/24 ,  G21H1/04

CPC分类号： G01T1/16 ,  G01T1/24 ,  G01T1/242 ,  G01T3/08 ,  G21H1/04

摘要： Inorganic semiconducting materials such as silicon are used as a host matrix in which quantum dots reside to provide a radiation detector or energy converter. The quantum dot material may be disposed by incorporating materials sensitive to neutron detection such as boron-containing compounds, or the use of methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition to insert the quantum dot material. Electrodes may be extended deep into the host matrix material to improve efficiency. Likewise, the host matrix may be machined to create pores in the matrix material. Further, amplification and signal-processing structures may be used in close proximity to the radiation-sensitive region of the device.

摘要翻译： 诸如硅之类的无机半导体材料被用作其中量子点所在的主体矩阵以提供辐射检测器或能量转换器。 量子点材料可以通过掺入对中子检测敏感的材料，例如含硼化合物，或使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的方法来插入量子点材料来设置。 电极可以深入主体基质材料，以提高效率。 同样地，可以加工主体基质以在基体材料中产生孔。 此外，放大和信号处理结构可以紧邻设备的辐射敏感区域使用。