公开(公告)号：US09257519B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US14081417

申请日：2013-11-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC.

Inventor： Michael P. Chudzik ,  Min Dai ,  Jinping Liu ,  Joseph F. Shepard, Jr. ,  Keith K. H. Wong

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/47 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a substrate; and a gate structure disposed directly on the substrate, the gate structure including: a graded region with a varied material concentration profile; and a metal layer disposed on the graded region.

Abstract translation: 公开了一种半导体器件。 半导体器件包括衬底; 以及栅极结构，其直接设置在所述基板上，所述栅极结构包括：具有不同材料浓度分布的渐变区域; 以及设置在分级区域上的金属层。