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公开(公告)号：US2220860A
公开(公告)日：1940-11-05
申请号：US19623438
申请日：1938-03-16
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： BLODGETT KATHARINE B
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/202 , B41M5/36 , B82Y40/00 , Y10S428/91 , Y10T428/249981 , Y10T428/265
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公开(公告)号：US2587282A
公开(公告)日：1952-02-26
申请号：US21296851
申请日：1951-02-27
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： BLODGETT KATHARINE B
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0675
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公开(公告)号：US2597562A
公开(公告)日：1952-05-20
申请号：US8446649
申请日：1949-03-30
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： BLODGETT KATHARINE B
CPC classification number: H01J9/20 , C03C17/06 , C03C17/23 , C03C2217/213 , C03C2217/263 , C03C2218/17 , C03C2218/324 , H01J5/06 , Y10T428/265
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：US2589983A
公开(公告)日：1952-03-18
申请号：US78428947
申请日：1947-11-05
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： BLODGETT KATHARINE B , SCHAEFER VINCENT J
CPC classification number: G01N19/10 , G01L1/2287
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5.发明授权Method of forming semiconducting layers on glass and article formed thereby 失效在玻璃上形成半导体层的方法和由此形成的制品
公开(公告)号：US2636832A
公开(公告)日：1953-04-28
申请号：US13456649
申请日：1949-12-22
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： BLODGETT KATHARINE B
CPC classification number: C03C17/23 , C03C17/27 , C03C23/00 , C03C2217/213 , C03C2217/228 , C03C2217/23 , C03C2218/32 , C03C2218/322 , C03C2218/324
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公开(公告)号：US2493745A
公开(公告)日：1950-01-10
申请号：US78429047
申请日：1947-11-05
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： BLODGETT KATHARINE B , SCHAEFER VINCENT J
IPC: G01L1/22
CPC classification number: G01L1/2287
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公开(公告)号：US2220862A
公开(公告)日：1940-11-05
申请号：US27058639
申请日：1939-04-28
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： BLODGETT KATHARINE B
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公开(公告)号：US2220861A
公开(公告)日：1940-11-05
申请号：US21417538
申请日：1938-06-16
Applicant: GEN ELECTRIC
Inventor： BLODGETT KATHARINE B
IPC: G02B1/11
CPC classification number: G02B1/115
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