公开(公告)号：US4952811A

公开(公告)日：1990-08-28

申请号：US369403

申请日：1989-06-21

Applicant: C. Thomas Elliott

Inventor： C. Thomas Elliott

IPC: G01J5/28 ,  G01J5/60 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/103 ,  H01L33/00 ,  H01L33/28 ,  H01L33/34 ,  H01S5/06

CPC classification number: H01L33/34 ,  G01J5/28 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/1032 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/28 ,  H01S5/0607 ,  G01J2005/283 ,  G01J2005/604

Abstract: A tunable infrared detector employing a vanishing band gap semimetal material which is provided with an induced band gap by a magnetic field to allow intrinsic semiconductor type infrared detection capabilities. The semimetal material may thus operate as a semiconductor type detector with a wavelength sensitivity corresponding to the induced band gap in a preferred embodiment of a diode structure. Preferred semimetal materials include Hg.sub.1-x Cd.sub.x Te, x

Abstract translation: 使用消失带隙半金属材料的可调谐红外检测器，其通过磁场提供感应带隙以允许本征半导体型红外检测能力。 因此，在二极管结构的优选实施例中，半金属材料可以作为具有对应于感应带隙的波长灵敏度的半导体型检测器来操作。 优选的半金属材料包括Hg1-xCdxTe，x <0.15，HgCdSe，BiSb，α-Sn，HgMgTe，HgMnTe，HgZnTe，HgMnSe，HgMgSe和HgZnSe。 磁场在半金属材料中产生与磁场强度成比例的带隙，允许可调谐的检测截止波长。 对于5至10特斯拉的施加磁场，对于x约0.15的Hg1-xCdxTe合金，波长检测截止值将在20-50微米的范围内。 也可以采用类似的方法通过使用磁场来诱导期望的带隙然后以发光二极管或半导体激光器类型的结构来操作结构来产生期望波长的红外能量。