公开(公告)号：US6068913A

公开(公告)日：2000-05-30

申请号：US932473

申请日：1997-09-18

申请人： Hyun Sam Cho ,  Kyung-Yul Han

发明人： Hyun Sam Cho ,  Kyung-Yul Han

IPC分类号： B23P15/28 ,  B01J3/06 ,  B23B27/14 ,  C04B37/02 ,  C23C30/00 ,  E21B10/573 ,  B24D11/00

CPC分类号： E21B10/5735 ,  B01J3/062 ,  B23B27/146 ,  C04B37/023 ,  C04B37/025 ,  C23C30/005 ,  B01J2203/062 ,  B01J2203/0645 ,  B01J2203/0655 ,  B01J2203/066 ,  B01J2203/0685 ,  B23B2226/125 ,  B23B2226/315 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/086 ,  C04B2237/361 ,  C04B2237/401 ,  C04B2237/64 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/25

摘要： A new PCD/PCBN tool and method for making the same involve the use of an intermediate layer of polycrystalline material between a substrate and an outer working layer. The intermediate layer is formulated to limit or prevent the amount of cobalt or other binders which may infiltrate the outer working layer and accelerate deterioration under high throughput conditions. In accordance with one aspect of the invention, the substrate is corrugate or rounded projections to both reduce stress and to decrease infiltration of cobalt through the polycrystalline structures. In accordance with another aspect of the invention, the bonding medium and/or binder agents in the intermediate layer may be selected to decrease mobility of cobalt and the like.

摘要翻译： 一种新的PCD / PCBN工具及其制造方法涉及在基材和外部工作层之间使用多晶材料的中间层。 配制中间层以限制或防止可能渗入外部工作层的钴或其它粘合剂的量并加速在高通量条件下的劣化。 根据本发明的一个方面，衬底是波纹或圆形凸起，以减少应力并减少钴穿过多晶结构的渗透。 根据本发明的另一方面，可以选择中间层中的粘合剂和/或粘合剂以降低钴等的迁移率。

公开(公告)号：US06616725B2

公开(公告)日：2003-09-09

申请号：US09934459

申请日：2001-08-21

申请人： Hyun Sam Cho ,  John Chen ,  Kyung Yul Han

发明人： Hyun Sam Cho ,  John Chen ,  Kyung Yul Han

IPC分类号： B24D300

CPC分类号： B22F1/025 ,  B01J3/062 ,  B01J2203/061 ,  B01J2203/062 ,  B01J2203/063 ,  B01J2203/0635 ,  B01J2203/0645 ,  B01J2203/0655 ,  B01J2203/066 ,  B01J2203/068 ,  C04B35/52 ,  C04B35/5626 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5276 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5436 ,  Y10T428/30

摘要： A self-grown monopoly compact grit and high pressure, high temperature process for preparing the same. The high pressure, high temperature sintered/synthesized monopoly compact grit is used in various industrial tools such as saw blades, grinding wheels, cutting tools and drill bits. Further, the monopoly compact grit of the present invention is produced from a seed of a mono-crystal of diamond or cubic boron nitride surrounded by either a self-grown crystal layer or an integrally bonded poly-crystalline sintered compact layer. The self-grown crystal layer is a new grown crystal structure where the seed crystal grows into a new phase through a normal diamond or cubic boron nitride synthesis process in the presence of a catalyst metal solvent. The compact layer is composed of about 50 to about 90 volume percent of diamond or cubic boron nitride, a typical binder material, which is a catalyst for crystal-to-crystal bonding, and a cementing agent which is a binding agent capable of forming stable carbide and nitride bonds.

摘要翻译： 自生成垄断的紧凑砂砾和高压，高温工艺制备相同。 高压，高温烧结/合成的垄断压实砂砾用于各种工业工具，如锯片，砂轮，切削工具和钻头。 此外，本发明的垄断压块砂砾由金刚石或立方氮化硼的单晶种子生产，其由自生长晶体层或整体结合的多晶烧结致密层包围。 自生晶体层是新生长的晶体结构，其中晶种在催化剂金属溶剂存在下通过正常的金刚石或立方氮化硼合成工艺生长成新相。 致密层由约50至约90体积％的金刚石或立方氮化硼组成，典型的粘合剂材料是用于晶体 - 晶体结合的催化剂，和作为能够形成稳定的粘合剂的粘合剂 碳化物和氮化物键。