公开(公告)号：US4504631A

公开(公告)日：1985-03-12

申请号：US499486

申请日：1983-05-31

申请人： Hideaki Doi ,  Kenichi Kokubun ,  Teruo Sakagami ,  Naohiro Murayama

发明人： Hideaki Doi ,  Kenichi Kokubun ,  Teruo Sakagami ,  Naohiro Murayama

IPC分类号： C08F2/46 ,  C08F8/24

CPC分类号： C08F8/24

摘要： The photoresist material comprises a polymer having chloromethyl groups introduced therein and containing 2-isopropenylnaphthalene as one component, an average substitution degree of the chloromethyl groups based on the polymer is within a range of 0.2 to 5.The photoresist material has a high glass transition point, a high sensitivity to radiation and an excellent dry etching resistance, whereby it is suitably used for the manufacture of a semiconductor element using radiation and provides a good resolution on etching.

摘要翻译： 光致抗蚀剂材料包括其中引入了氯甲基并含有2-异丙烯基萘作为一种组分的聚合物，基于聚合物的氯甲基的平均取代度在0.2至5的范围内。光致抗蚀剂材料具有高玻璃化转变点 ，对辐射的高灵敏度和优异的耐干蚀刻性，由此适用于制造使用辐射的半导体元件，并且在蚀刻时提供良好的分辨率。