公开(公告)号：US20090142524A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US11721802

申请日：2005-12-19

申请人： Andree Mehrtens ,  Thomas Kuepper ,  Margareta Hamel ,  Christoph Moelle

发明人： Andree Mehrtens ,  Thomas Kuepper ,  Margareta Hamel ,  Christoph Moelle

IPC分类号： B32B1/08 ,  B05D1/00 ,  C23C16/00 ,  B05D7/04 ,  C23C14/34 ,  C23C16/513 ,  B05C11/00

CPC分类号： C23C16/045 ,  C03C17/245 ,  C03C23/007 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/154 ,  C03C2218/345 ,  C23C16/45523 ,  Y10T428/13 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/24744

摘要： In order to provide a thermostable and highly effective barrier coating on a substrate, and to protect the substrate against the effect of harmful gas components even at high temperatures, the invention provides a coated substrate comprising a barrier coating having a multiplicity of consecutive individual layers respectively of a kind differing from or similar to a neighboring individual layer, the individual layers exhibiting a layer thickness of respectively at most 50 nanometers.

摘要翻译： 为了在衬底上提供耐热和高效的阻隔涂层，并且即使在高温下也可以防止衬底抵抗有害气体成分的影响，本发明提供一种涂覆的基底，其包括分别具有多个连续的各个层的阻隔涂层 与相邻的单独层不同或相似的各种层，各层的厚度分别至多为50纳米。

公开(公告)号：US20080299302A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US12129929

申请日：2008-05-30

申请人： Guillaume RAVEL

发明人： Guillaume RAVEL

IPC分类号： B05D5/06

CPC分类号： C23C16/452 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/04 ,  C23C16/402

摘要： The invention concerns a method of manufacturing an optical element made from silica, characterised in that it comprises at least one step of depositing silica on at least one face of the optical element.The invention applies more particularly to the manufacture of phase plates.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造由二氧化硅制成的光学元件的方法，其特征在于，其包括在所述光学元件的至少一个表面上沉积二氧化硅的至少一个步骤。 本发明更具体地涉及相板的制造。

公开(公告)号：US20080038464A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US10599691

申请日：2005-04-01

申请人： Jean Durand ,  Francois Lauvray ,  Isabelle Richardt

发明人： Jean Durand ,  Francois Lauvray ,  Isabelle Richardt

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/00 ,  C23C16/22

CPC分类号： C23C16/12 ,  C03C17/001 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/3657 ,  C03C17/3684 ,  C03C2217/72 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/006 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/402

摘要： A method comprising the following steps: placing the substrates in an evacuated enclosures; forming a gas by evaporating a component that is liquid at atmospheric pressure and at ambient temperature; and introducing the gas into the enclosure. The gas is decomposed and a complementary gas is introduced into the enclosure for the purpose of reacting with the decomposed gas so as to form at least one thin layer on the substrate. Also disclosed is a method of forming a colored film and to an associated device capable of implementing the method of the invention.

摘要翻译： 一种方法，包括以下步骤：将基板放置在抽真空的外壳中; 通过蒸发在大气压和环境温度下为液体的组分形成气体; 并将气体引入外壳。 气体被分解，并且互补气体被引入到外壳中，以与分解的气体反应，以便在基底上形成至少一个薄层。 还公开了形成有色膜的方法和能够实现本发明的方法的相关装置。

公开(公告)号：US20080036955A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11682420

申请日：2007-03-06

申请人： Taek Hee Kim ,  Pil Sang Yun ,  Ho Min Kang ,  Bae Hyoun Jung

发明人： Taek Hee Kim ,  Pil Sang Yun ,  Ho Min Kang ,  Bae Hyoun Jung

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： G02F1/136286 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3655 ,  C03C17/3671 ,  C03C2217/944 ,  C03C2218/153 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136295 ,  H05K3/146

摘要： A method of forming a metal thin film includes positioning a substrate in a region corresponding to a target, with the target including silver (Ag) and being provided in a reaction space, supplying an inert gas and an oxygen-containing gas into the reaction space. Moreover, the method further includes forming a silver (Ag)-containing conductive film on the substrate by generating plasma between the target and the substrate.

摘要翻译： 形成金属薄膜的方法包括：在与靶对应的区域中定位基板，靶包括银（Ag），并设置在反应空间中，向反应空间供给惰性气体和含氧气体 。 此外，该方法还包括通过在靶和衬底之间产生等离子体，在衬底上形成含银（Ag）的导电膜。

公开(公告)号：US07232591B2

公开(公告)日：2007-06-19

申请号：US10408261

申请日：2003-04-08

申请人： Tomohiro Okumura ,  Toshinari Nitta

发明人： Tomohiro Okumura ,  Toshinari Nitta

IPC分类号： H05H1/24 ,  H01L21/306 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/68721 ,  C03C17/23 ,  C03C19/00 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/328 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

摘要： Provided is a plasma processing method and apparatus and a tray for plasma processing, which are able to improve temperature controllability of a substrate. If a vacuum chamber is evacuated by a pump while introducing a specified gas by a gas supply unit into the vacuum chamber and a high-frequency power is applied by a coil use high-frequency power supply to a coil while maintaining an interior of the vacuum chamber at a specified pressure, then plasma is generated in the vacuum chamber, and a substrate placed on a substrate electrode can be subjected to plasma processing. At this time, by providing an adhesive sheet between the substrate electrode and the substrate, temperature controllability of the substrate can be improved.

摘要翻译： 提供了能够提高基板的温度可控性的等离子体处理方法和等离子体处理装置和托盘。 如果真空室被泵抽气，同时通过气体供应单元将特定气体引入真空室，并且通过线圈将高频电力施加到线圈上，同时保持真空内部 在真空室中产生等离子体，并且可以对放置在基板电极上的基板进行等离子体处理。 此时，通过在基板电极和基板之间设置粘合片，能够提高基板的温度控制性。

公开(公告)号：US20040127069A1

公开(公告)日：2004-07-01

申请号：US10737855

申请日：2003-12-18

申请人： Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. a Japan corporation

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Mitsunori Sakama ,  Takeshi Fukada

IPC分类号： H01L021/31 ,  H01L021/469

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C03C17/245 ,  C03C2218/1525 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

摘要： In forming various types of insulating films in manufacture of a semiconductor device, carbon is gasified into CHx, COH etc. during film formation by adding active hydrogen and nitrogen oxide to reduce the carbon content during the film formation, and the effect of blocking impurities such as alkali metals is improved.

摘要翻译： 在半导体器件的制造中形成各种类型的绝缘膜时，通过添加活性氢和氮氧化物在成膜期间将碳气化到CHx，COH等中以降低成膜期间的碳含量，以及将杂质 因为碱金属得到改善。

公开(公告)号：US20030219540A1

公开(公告)日：2003-11-27

申请号：US10386371

申请日：2003-03-11

发明人： Kam S. Law ,  Dan Maydan

IPC分类号： C23C016/00 ,  B05D003/02

CPC分类号： C03C17/3482 ,  C03C17/22 ,  C03C17/3435 ,  C03C2217/282 ,  C03C2218/153 ,  H01J2209/012 ,  H01J2329/8605

摘要： A method and apparatus for forming a polysilicon layer on a pre-annealed glass substrate. In one aspect, the method includes loading a pre-annealed glass substrate in a deposition chamber, depositing an amorphous silicon layer on the pre-annealed glass substrate, and annealing the pre-annealed glass substrate to form a polysilicon layer thereon. The amorphous silicon layer may be deposited concurrently with the annealing step to produce the polysilicon layer on the pre-annealed glass substrate. A nitride layer and/or an oxide layer may be deposited prior to depositing the amorphous silicon layer and annealing the pre-annealed glass substrate.

摘要翻译： 一种用于在预退火玻璃基板上形成多晶硅层的方法和装置。 一方面，该方法包括将预退火的玻璃基板加载到沉积室中，在预退火玻璃基板上沉积非晶硅层，以及退火预退火玻璃基板以在其上形成多晶硅层。 可以与退火步骤同时沉积非晶硅层，以在预退火玻璃基板上产生多晶硅层。 可以在沉积非晶硅层并退火预退火的玻璃基板之前沉积氮化物层和/或氧化物层。

公开(公告)号：US06649222B1

公开(公告)日：2003-11-18

申请号：US09786085

申请日：2001-02-28

申请人： Riccardo D'Agostino ,  Italo Corzani ,  Pietro Favia ,  Ritalba Lamendola ,  Gianfranco Palumbo

发明人： Riccardo D'Agostino ,  Italo Corzani ,  Pietro Favia ,  Ritalba Lamendola ,  Gianfranco Palumbo

IPC分类号： C08J718

CPC分类号： B05D1/62 ,  B05D5/083 ,  C03C17/22 ,  C03C17/32 ,  C03C23/006 ,  C03C2217/282 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/30 ,  C23C16/515

摘要： A method for treating substrates including the steps of: providing a substrate; exposing said substrate to a plasma glow discharge in the presence of a fluorocarbon gas; maintaining said gas at a pressure between about 50 mTorr and about 400 mTorr; generating said plasma as a modulated glow discharge; pulsing said discharge at an on time of 1-500 milliseconds; pulsing said glow at an off time of 1-1000 milliseconds; maintaining said plasma glow discharge at a power density of 0.02-10 watts/cm2; and applying a hydrophobic coating to said substrate.

摘要翻译： 一种处理衬底的方法，包括以下步骤：提供衬底;在碳氟化合物气体存在下将所述衬底暴露于等离子体辉光放电;将所述气体保持在约50mTorr至约400mTorr之间的压力;产生所述等离子体为 调制辉光放电;在1-500毫秒的开启时脉冲所述放电;在1-1000毫秒的关闭时间脉冲发光;将所述等离子体辉光放电维持在0.02-10瓦特/平方厘米的功率密度; 并将疏水涂层施加到所述基底。

公开(公告)号：US20020192475A1

公开(公告)日：2002-12-19

申请号：US10200457

申请日：2002-07-19

发明人： Haruhiro H. Goto ,  Takako Takehara ,  Carl A. Sorensen ,  William R. Harshbarger ,  Kam S. Law

IPC分类号： B32B009/04

CPC分类号： C03C17/245 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/153

摘要： A method for the deposition of a silicon dioxide film onto a substrate using plasma enhanced chemical vapor deposition and TEOS is disclosed. The method includes controlling the deposition rate of silicon dioxide on a substrate by pulsing the radio frequency power supply used to generate a TEOS oxide plasma. The obtained silicon dioxide film is good in electrical and mechanical film properties for the application of forming thin film transistors.

摘要翻译： 公开了一种使用等离子体增强化学气相沉积和TEOS将二氧化硅膜沉积到衬底上的方法。 该方法包括通过脉冲用于生成TEOS氧化物等离子体的射频电源来控制二氧化硅在衬底上的沉积速率。 获得的二氧化硅膜对于形成薄膜晶体管的应用具有良好的电气和机械膜性质。

公开(公告)号：US20020111040A1

公开(公告)日：2002-08-15

申请号：US10037865

申请日：2001-10-24

申请人： Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., a Japanese Corporation

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Mitsunori Sakama ,  Takeshi Fukada

IPC分类号： H01L021/31 ,  H01L021/469

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C03C17/245 ,  C03C2218/1525 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

摘要： In forming various types of insulating films in manufacture of a semiconductor device, carbon is gasified into CHx, COH etc. during film formation by adding active hydrogen and nitrogen oxide to reduce the carbon content during the film formation, and the effect of blocking impurities such as alkali metals is improved.

摘要翻译： 在半导体器件的制造中形成各种类型的绝缘膜时，通过添加活性氢和氮氧化物在成膜期间将碳气化到CHx，COH等中以降低成膜期间的碳含量，以及将杂质 因为碱金属得到改善。