公开(公告)号：US09349939B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：US14286518

申请日：2014-05-23

Applicant: QUALCOMM Incorporated

Inventor： Yu Lu ,  Chando Park ,  Wei-Chuan Chen

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: A method of forming a magnetic tunnel junction (MTJ) device includes forming a spacer on an exposed side portion of the MTJ device. The method further includes forming an etch-resistant protective coating associated with the MTJ device. The etch-resistant protective coating provides greater etch resistance than the spacer.

Abstract translation: 形成磁性隧道结（MTJ）装置的方法包括在MTJ装置的暴露侧部分上形成间隔物。 该方法还包括形成与MTJ装置相关联的耐蚀刻保护涂层。 耐蚀刻保护涂层比间隔物提供更大的耐蚀刻性。