公开(公告)号：US20090050927A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US11910735

申请日：2006-04-14

申请人： Fengyi Jiang ,  Wenqing Fang ,  Li Wang ,  Chunlan Mo ,  Hechu Liu ,  Maoxing Zhou

发明人： Fengyi Jiang ,  Wenqing Fang ,  Li Wang ,  Chunlan Mo ,  Hechu Liu ,  Maoxing Zhou

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095

摘要： There is provided a method of fabricating InGaAlN film on a silicon substrate, which comprises the following steps of forming a pattern structured having grooves and mesas on the silicon substrate, and depositing InGaAlN film on the surface of substrate, wherein the depth of the grooves is more than 6 nm, and the InGaAlN film formed on the mesas of both sides of the grooves are disconnected in the horizontal direction. The method may grow high quality, no crack and large area of InGaAlN film by simply treating the substrate. At the same time, there is also provided a method of fabricating InGaAlN light-emitting device by using the silicon substrate.

摘要翻译： 提供了一种在硅衬底上制造InGaAlN膜的方法，其包括以下步骤：在硅衬底上形成具有凹槽和台面的图案，并在衬底表面上沉积InGaAlN膜，其中凹槽的深度为 大于6nm，并且形成在槽的两侧的台面上的InGaAlN膜在水平方向上断开。 该方法可以通过简单地处理基板来生长高质量，无裂纹和大面积的InGaAlN膜。 同时，还提供了通过使用硅衬底制造InGaAlN发光器件的方法。

公开(公告)号：US20080248633A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US12067761

申请日：2006-09-29

申请人： Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Wenqing Fang

发明人： Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Wenqing Fang

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02642 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： The method for manufacturing the indium gallium aluminium nitride (InGaAlN) thin film on silicon substrate, which comprises the following steps: introducing magnesium metal for processing online region mask film, that is, or forming one magnesium mask film layer or metal transition layer; then forming one metal transition layer or magnesium mask layer, finally forming one layer of indium gallium aluminium nitride semiconductor layer; or firstly forming one layer of metal transition layer on silicon substrate and then forming the first indium gallium aluminium nitride semiconductor layer, magnesium mask layer and second indium gallium aluminium nitride semiconductor layer in this order. This invention can reduce the dislocation density of indium gallium aluminium nitride materials and improve crystal quality.

摘要翻译： 在硅衬底上制造铟镓铝（InGaAlN）薄膜的方法，包括以下步骤：引入用于在线区域掩模膜的加工的镁金属，即形成一个镁掩模膜层或金属过渡层; 然后形成一个金属过渡层或镁掩模层，最后形成一层铟镓铝半导体层; 或者首先在硅衬底上形成一层金属过渡层，然后依次形成第一铟镓铝氮化物半导体层，镁掩模层和第二铟镓铝氮化物半导体层。 本发明可以降低铟镓铝材料的位错密度，提高晶体质量。

公开(公告)号：US20080230792A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US12063978

申请日：2006-09-30

申请人： Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Wenqing Fang

发明人： Fengyi Jiang ,  Li Wang ,  Wenqing Fang

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

摘要： One embodiment of the present invention provides a semiconductor light-emitting device, which comprises: an upper cladding layer; a lower cladding layer; an active layer between the upper and lower cladding layers; an upper ohmic-contact layer forming a conductive path to the upper cladding layer; and a lower ohmic-contact layer forming a conductive path the lower cladding layer. The lower ohmic-contact layer has a shape substantially different from the shape of the upper ohmic-contact layer, thereby diverting a carrier flow away from a portion of the active layer which is substantially below the upper ohmic-contact layer when a voltage is applied to the upper and lower ohmic-contact layers.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了一种半导体发光器件，其包括：上包层; 下包层; 在上和下包层之间的有源层; 形成到上包层的导电路径的上欧姆接触层; 以及形成下部包层的导电路径的下欧姆接触层。 下欧姆接触层具有与上欧姆接触层的形状基本上不同的形状，从而当施加电压时，载流子转移离开有源层的基本上在上欧姆接触层下方的部分 到上，下欧姆接触层。

公开(公告)号：US20080166582A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11713423

申请日：2007-03-02

申请人： Chuanbing Xiong ,  Wenqing Fang ,  Li Wang ,  Guping Wang ,  Fengyi Jiang

发明人： Chuanbing Xiong ,  Wenqing Fang ,  Li Wang ,  Guping Wang ,  Fengyi Jiang

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC分类号： C23C14/541 ,  C23C14/0005 ,  C23C14/18 ,  C23C14/505 ,  Y10S117/917 ,  Y10T428/12382 ,  Y10T428/12528

摘要： One embodiment of the present invention provides a method for fabricating a high-quality metal substrate. During operation, the method involves cleaning a polished single-crystal substrate. A metal structure of a predetermined thickness is then formed on a polished surface of the single-crystal substrate. The method further involves removing the single-crystal substrate from the metal structure without damaging the metal structure to obtain the high-quality metal substrate, wherein one surface of the metal substrate is a high-quality metal surface which preserves the smoothness and flatness of the polished surface of the single-crystal substrate.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了制造高品质金属基板的方法。 在操作过程中，该方法包括清洗抛光的单晶衬底。 然后在单晶衬底的抛光表面上形成预定厚度的金属结构。 该方法还包括从金属结构中去除单晶衬底而不损坏金属结构以获得高质量的金属衬底，其中金属衬底的一个表面是高质量的金属表面，其保持了平滑度和平坦度 抛光表面的单晶基板。