公开(公告)号：US20050009261A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10911157

申请日：2004-08-02

申请人： Dong-Hwa Kwak ,  Byung-Seo Kim

发明人： Dong-Hwa Kwak ,  Byung-Seo Kim

IPC分类号： H01L21/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10882 ,  Y10S257/904

摘要： A semiconductor device having resistors in a peripheral area and fabrication method thereof are provided. A mold layer is formed on a semiconductor substrate. The mold layer is patterned to form first molding holes and a second molding hole in the mold layer. A storage node layer is formed on the mold layer as well as in the first and second molding holes. The storage node layer is patterned to form storage nodes in the first molding holes and a portion of a resistor in the second hole.

摘要翻译： 提供一种在周边区域具有电阻器的半导体器件及其制造方法。 在半导体基板上形成模层。 图案化模具层以在模具层中形成第一模制孔和第二模制孔。 存储节点层形成在模具层以及第一和第二模制孔中。 存储节点层被图案化以在第一成型孔中形成存储节点，并在第二孔中形成电阻器的一部分。