公开(公告)号：US09472445B2

公开(公告)日：2016-10-18

申请号：US14472765

申请日：2014-08-29

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Sang-Il Han ,  Jong-Un Kim

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/0649

Abstract: A semiconductor memory device including a substrate, a first element isolation film pattern, and a second element isolation film pattern. The substrate includes a first region and a second region. The first element isolation film pattern is in the first region and corresponds to a first active region. The second element isolation film pattern is in the second region and corresponds to a second active region. The first element isolation film pattern includes a first material and the second element isolation film pattern includes a second material different from the first material.

Abstract translation: 一种半导体存储器件，包括衬底，第一元件隔离膜图案和第二元件隔离膜图案。 衬底包括第一区域和第二区域。 第一元件隔离膜图案位于第一区域中并且对应于第一有源区域。 第二元件隔离膜图案在第二区域中并且对应于第二有源区域。 第一元件隔离膜图案包括第一材料，第二元件隔离膜图案包括与第一材料不同的第二材料。