公开(公告)号：US09343534B2

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US14093153

申请日：2013-11-29

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Tae-sang Kim ,  Sun-jae Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Joon-seok Park ,  Seok-jun Seo ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: According to example embodiments, a semiconductor material may include zinc, nitrogen, and fluorine. The semiconductor material may further include oxygen. The semiconductor material may include a compound. For example, the semiconductor material may include zinc fluorooxynitride. The semiconductor material may include zinc oxynitride containing fluorine. The semiconductor material may include zinc fluoronitride. The semiconductor material may be applied as a channel material of a thin film transistor (TFT).

Abstract translation: 根据示例性实施例，半导体材料可以包括锌，氮和氟。 半导体材料还可以包括氧。 半导体材料可以包括化合物。 例如，半导体材料可以包括氟氧化氮锌。 半导体材料可以包含含氟的氮氧化锌。 半导体材料可以包括氟化氮锌。 半导体材料可以作为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料施加。