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    Phase change tip storage cell
    1.
    发明授权
    Phase change tip storage cell 有权
    相变尖端存储单元

    公开(公告)号：US07928420B2

    公开(公告)日：2011-04-19

    申请号：US10732580

    申请日：2003-12-10

    申请人： David V. Horak ,  Chung H. Lam ,  Hon-Sum P. Wong

    发明人： David V. Horak ,  Chung H. Lam ,  Hon-Sum P. Wong

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/06

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

    摘要： A storage cell, integrated circuit (IC) chip with one or more storage cells that may be in an array of the storage cells and a method of forming the storage cell and IC. Each storage cell includes a stylus, the tip of which is phase change material. The phase change tip may be sandwiched between an electrode and conductive material, e.g., titanium nitride (TiN), tantalum nitride (TaN) or n-type semiconductor. The phase change layer may be a chalcogenide and in particular a germanium (Ge), antimony (Sb), tellurium (Te) (GST) layer.

    摘要翻译： 具有一个或多个存储单元的存储单元，集成电路（IC）芯片，其可以是存储单元阵列，以及形成存储单元和IC的方法。 每个存储单元包括触针，其尖端是相变材料。 相变尖端可以夹在电极和导电材料之间，例如氮化钛（TiN），氮化钽（TaN）或n型半导体。 相变层可以是硫族化物，特别是锗（Ge），锑（Sb），碲（Te）（GST）层。

    METHOD OF MAKING INTEGRATED CIRCUIT (IC) INCLUDING AT LEAST ONE STORAGE CELL
    2.
    发明申请
    METHOD OF MAKING INTEGRATED CIRCUIT (IC) INCLUDING AT LEAST ONE STORAGE CELL 有权
    制造集成电路（IC）的方法，包括至少一个存储单元

    公开(公告)号：US20080248624A1

    公开(公告)日：2008-10-09

    申请号：US12136158

    申请日：2008-06-10

    申请人： David V. Horak ,  Chung H. Lam ,  Hon-Sum P. Wong

    发明人： David V. Horak ,  Chung H. Lam ,  Hon-Sum P. Wong

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

    摘要： A storage cell, integrated circuit (IC) chip with one or more storage cells that may be in an array of the storage cells and a method of forming the storage cell and IC. Each storage cell includes a stylus, the tip of which is phase change material. The phase change tip may be sandwiched between an electrode and conductive material, e.g., titanium nitride (TiN), tantalum nitride (TaN) or n-type semiconductor. The phase change layer may be a chalcogenide and in particular a germanium (Ge), antimony (Sb), tellurium (Te) (GST) layer.

    摘要翻译： 具有一个或多个存储单元的存储单元，集成电路（IC）芯片，其可以是存储单元阵列，以及形成存储单元和IC的方法。 每个存储单元包括触针，其尖端是相变材料。 相变尖端可以夹在电极和导电材料之间，例如氮化钛（TiN），氮化钽（TaN）或n型半导体。 相变层可以是硫族化物，特别是锗（Ge），锑（Sb），碲（Te）（GST）层。

    Method of making integrated circuit (IC) including at least one storage cell
    4.
    发明授权
    Method of making integrated circuit (IC) including at least one storage cell 有权
    制造包括至少一个存储单元的集成电路（IC）的方法

    公开(公告)号：US07795068B2

    公开(公告)日：2010-09-14

    申请号：US12136158

    申请日：2008-06-10

    申请人： David V. Horak ,  Chung H. Lam ,  Hon-Sum P. Wong

    发明人： David V. Horak ,  Chung H. Lam ,  Hon-Sum P. Wong

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/06

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

    摘要： A storage cell, integrated circuit (IC) chip with one or more storage cells that may be in an array of the storage cells and a method of forming the storage cell and IC. Each storage cell includes a stylus, the tip of which is phase change material. The phase change tip may be sandwiched between an electrode and conductive material, e.g., titanium nitride (TiN), tantalum nitride (TaN) or n-type semiconductor. The phase change layer may be a chalcogenide and in particular a germanium (Ge), antimony (Sb), tellurium (Te) (GST) layer.

    摘要翻译： 具有一个或多个存储单元的存储单元，集成电路（IC）芯片，其可以是存储单元阵列，以及形成存储单元和IC的方法。 每个存储单元包括触针，其尖端是相变材料。 相变尖端可以夹在电极和导电材料之间，例如氮化钛（TiN），氮化钽（TaN）或n型半导体。 相变层可以是硫族化物，特别是锗（Ge），锑（Sb），碲（Te）（GST）层。

    Phase change memory cell on silicon-on insulator substrate
    5.
    发明授权
    Phase change memory cell on silicon-on insulator substrate 有权
    硅绝缘体衬底上的相变存储单元

    公开(公告)号：US07005665B2

    公开(公告)日：2006-02-28

    申请号：US10708667

    申请日：2004-03-18

    申请人： Stephen S. Furkay ,  Hendrick Hamann ,  Jeffrey B. Johnson ,  Chung H. Lam ,  Hon-Sum P. Wong

    发明人： Stephen S. Furkay ,  Hendrick Hamann ,  Jeffrey B. Johnson ,  Chung H. Lam ,  Hon-Sum P. Wong

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L29/685 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/1203

    摘要： The present invention includes a method for forming a phase change material memory device and the phase change memory device produced therefrom. Specifically, the phase change memory device includes a semiconductor structure including a substrate having a first doped region flanked by a set of second doped regions; a phase change material positioned on the first doped region; and a conductor positioned on the phase change material, wherein when the phase change material is a first phase the semiconductor structure operates as a bipolar junction transistor, and when the phase change material is a second phase the semiconductor structure operates as a field effect transistor.

    摘要翻译： 本发明包括一种形成相变材料存储装置的方法和由其制成的相变存储装置。 具体地，相变存储器件包括半导体结构，该半导体结构包括具有侧面为一组第二掺杂区的第一掺杂区的衬底; 位于所述第一掺杂区上的相变材料; 以及位于所述相变材料上的导体，其中当所述相变材料为第一相时，所述半导体结构作为双极结型晶体管工作，并且当所述相变材料为第二相时，所述半导体结构作为场效应晶体管工作。

    Integrated circuit with upstanding stylus
    6.
    发明授权
    Integrated circuit with upstanding stylus 有权
    集成电路与直立手写笔

    公开(公告)号：US07943919B2

    公开(公告)日：2011-05-17

    申请号：US10732579

    申请日：2003-12-10

    申请人： David V. Horak ,  Chung H. Lam

    发明人： David V. Horak ,  Chung H. Lam

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

    摘要： A stylus, an integrated circuit (IC) and method of forming the IC. The stylus extends upward from its apex and has a substantially circular cross section that decreases in diameter upward from the apex. The stylus is formed in a mold that may be formed in an orifice in a dielectric layer between wiring layers. The mold may include multiple concentric layers. For a more pronounced, non-linear stylus taper, each layer may be thinner than its next adjacent outer concentric layer.

    摘要翻译： 触笔，集成电路（IC）和IC的形成方法。 触针从其顶点向上延伸并且具有从顶点向上直径减小的大致圆形横截面。 触针形成在可以形成在布线层之间的电介质层中的孔中的模具中。 模具可以包括多个同心层。 对于更明显的非线性触针锥形，每个层可以比其下一个相邻的外部同心层更薄。

    Simultaneous Conditioning of a Plurality of Memory Cells Through Series Resistors
    7.
    发明申请
    Simultaneous Conditioning of a Plurality of Memory Cells Through Series Resistors 有权
    通过串联电阻同时调节多个存储单元

    公开(公告)号：US20080185652A1

    公开(公告)日：2008-08-07

    申请号：US12060922

    申请日：2008-04-02

    申请人： Toshijaru Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger ,  Chung H. Lam ,  Gerhard I. Meijer

    发明人： Toshijaru Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger ,  Chung H. Lam ,  Gerhard I. Meijer

    IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L21/8234

    CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L27/101 ,  H01L27/24

    摘要： Disclosed are a semiconductor structure and a method that allow for simultaneous voltage/current conditioning of multiple memory elements in a nonvolatile memory device with multiple memory cells. The structure and method incorporate the use of a resistor connected in series with the memory elements to limit current passing through the memory elements. Specifically, the method and structure incorporate a blanket temporary series resistor on the wafer surface above the memory cells and/or permanent series resistors within the memory cells. During the conditioning process, these resistors protect the transition metal oxide in the individual memory elements from damage (i.e., burn-out), once it has been conditioned.

    摘要翻译： 公开了一种半导体结构和方法，其允许在具有多个存储器单元的非易失性存储器件中同时对多个存储器元件进行电压/电流调节。 该结构和方法结合使用与存储器元件串联连接的电阻器来限制电流通过存储器元件。 具体地，该方法和结构在存储器单元上方的晶片表面上和/或存储器单元内的永久串联电阻器上并入一个橡皮布暂时串联电阻器。 在调节过程中，一旦调节了这些电阻，这些电阻就可以保护各个存储元件中的过渡金属氧化物免受损坏（即烧坏）。

    Simultaneous conditioning of a plurality of memory cells through series resistors
    8.
    发明授权
    Simultaneous conditioning of a plurality of memory cells through series resistors 有权
    通过串联电阻同时调节多个存储单元

    公开(公告)号：US07834384B2

    公开(公告)日：2010-11-16

    申请号：US12060922

    申请日：2008-04-02

    申请人： Toshijaru Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III ,  Chung H. Lam ,  Gerhard I. Meijer

    发明人： Toshijaru Furukawa ,  Mark C. Hakey ,  Steven J. Holmes ,  David V. Horak ,  Charles W. Koburger, III ,  Chung H. Lam ,  Gerhard I. Meijer

    IPC分类号： H01L27/00

    CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L27/101 ,  H01L27/24

    摘要： Disclosed are a semiconductor structure and a method that allow for simultaneous voltage/current conditioning of multiple memory elements in a nonvolatile memory device with multiple memory cells. The structure and method incorporate the use of a resistor connected in series with the memory elements to limit current passing through the memory elements. Specifically, the method and structure incorporate a blanket temporary series resistor on the wafer surface above the memory cells and/or permanent series resistors within the memory cells. During the conditioning process, these resistors protect the transition metal oxide in the individual memory elements from damage (i.e., burn-out), once it has been conditioned.

    摘要翻译： 公开了一种半导体结构和方法，其允许在具有多个存储器单元的非易失性存储器件中同时对多个存储器元件进行电压/电流调节。 该结构和方法结合使用与存储器元件串联连接的电阻器来限制电流通过存储器元件。 具体地，该方法和结构在存储器单元上方的晶片表面上和/或存储器单元内的永久串联电阻器上并入一个橡皮布暂时串联电阻器。 在调节过程中，一旦调节了这些电阻，这些电阻就可以保护各个存储元件中的过渡金属氧化物免受损坏（即烧坏）。