控制装置及其控制方法、设备、存储介质和产品

    公开(公告)号:CN118971593A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411034519.1

    申请日:2024-07-30

    发明人: 霍兆镜

    摘要: 本申请公开了一种控制装置及其控制方法、设备、存储介质和产品,该控制装置应用于电源模块,包括:控制器,用于检测上开关管和下开关管之间的死区时间,以及基于死区时间,控制上开关管和下开关管的通断状态;电压检测电路,用于检测第一接点的电压,电压检测电路包括比较器,比较器用于基于第一接点的电压和接入的参考电压,生成第一比较信号;控制器还用于切换比较器接入的参考电压,死区时间基于接收到的第一比较信号生成。控制装置设置用于检测上开关管和下开关管的连接点电压的电压检测电路,控制装置基于检测电压和不同的参考电压的比较结果,得到开关管的导通延时和关断延时,实现了自适应设置死区时间,提升了电路效率。

    一种用于POE供电系统的电源电路
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118801701A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410926137.3

    申请日:2024-07-11

    IPC分类号: H02M3/335 H02M1/38 H02M1/088

    摘要: 本发明涉及POE供电技术领域,公开了一种用于POE供电系统的电源电路,包括变压器、第一开关管、第二开关管、电容C1、电容C2和电感L1;在实际使用时,通过在电源电路中设置第二开关管和电容C1,这样通过控制第二开关管导通可以使电路进入到磁复位阶段,电容C1、第二开关管和变压器的原边侧形成通路,从而可以释放能量,不用额外设计磁复位电路,整个结构简单;另外对于第二开关管来说,第二开关管的输出端接地,因此在驱动第二开关管时可以不适用隔离驱动,能够省去一个变压器,从而降低成本;最后第一开关管和第二开关管中的电流主要来自于变压器的励磁电流,由于励磁电流远远小于变压器的副边侧反射回来的负载电流,因此可以有效降低功耗。

    一种用于DAB变换器的综合优化调制方法

    公开(公告)号:CN114142732B

    公开(公告)日:2024-10-08

    申请号:CN202111100994.0

    申请日:2021-09-18

    发明人: 罗全明 李佳 牟迪

    摘要: 本发明涉及变换器调制技术领域,具体涉及一种用于DAB变换器的综合优化调制方法,包括:根据DAB变换器调制变量之间的关系生成对应的优化工作模态;根据DAB变换器的等效电路,计算对应优化工作模态的稳态特征;稳态特征包括传输功率和电感电流峰值;根据DAB变换器死区时间内开关管的换流过程,计算实现软开关的控制条件;根据各个优化工作模态的稳态特征以及实现软开关的控制条件,结合三重移相调制的方式计算对应的综合优化调制方案,并基于所述综合优化调制方案对DAB变换器进行调制。本发明中的综合优化调制方法能够保证软开关工作范围并提高变换器传输效率,从而保证DAB变换器的转换效率和工作稳定性。

    一种高低电源切换电路、供电装置

    公开(公告)号:CN118739828A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410736465.7

    申请日:2024-06-07

    IPC分类号: H02M1/38 H02M1/32 H02M1/088

    摘要: 本申请公开了一种高低电源切换电路、供电装置,应用于电子电路及半导体领域。该高低电源切换电路,通过隔离单元将第一开关单元和第二开关单元进行了隔离,当仅有高压电压源在位时,隔离单元可以避免第一开关单元与导通的第二开关单元的直接连接,第一开关单元的第二端的电压并不会由于导通的第二开关单元直接接入高压电压源的电压,而是隔离单元进行隔离降压后的电压,即利用隔离单元降低了第一开关单元两端的电压差,使得第一开关单元通过采用低压器件就可以实现,因此可采用低压器件实现高低压电源切换,使得电路不存在耐压问题,解决了开关单元集成困难的问题。

    一种基于GaN功率器件的整流电源
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118694193A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410766207.3

    申请日:2024-06-13

    摘要: 本说明书实施例提供一种基于GaN功率器件的整流电源,应用于移相器领域。该整流电源包括输入端、输出端、变压器、电感、电容、第一桥臂和第二桥臂;变压器的原边基于输入端连接交流电源;变压器的副边的一端直接连接所述第一GaN功率器件和第二GaN功率器件之间的第一连接点,另一端经电感连接第三GaN功率器件和第四GaN功率器件之间的第二连接点;第一桥臂、第二桥臂和电容并联于输出端;第一GaN功率器件和第二GaN功率器件基于变压器输出电压的正负半波互补开闭;第三GaN功率器件和第四GaN功率器件基于预设频率互补开闭。上述整流电源体积小、安全性高,且输出的电压和电流纹波极小,具有较好的实际应用价值。

    一种H桥电路的控制方法、存储介质及装置

    公开(公告)号:CN118694161A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410768493.7

    申请日:2024-06-14

    IPC分类号: H02M1/38 H02P7/03 H02J50/10

    摘要: 本发明涉及电力电子技术领域,公开了一种H桥电路的控制方法、存储介质及装置。其中方法通过获取当前各开关管的控制信号,判断当前H桥电路处于半桥状态还是全桥状态,并获取当前H桥电路的当前输出量。并获取输出调节量,根据当前输出量和输出调节量计算期望输出量。全桥状态下,将第二上管Q2的控制信号的占空比钳位于其预设的最小占空比阈值以上。当第二上管Q2的控制信号的占空比阈值减小至其最小占空比阈值后,输出仍不满足期望输出量,则对第二上管Q2的控制信号进行移相,使两个上管的控制信号的高电平段部分重合。该控制方法能在不影响H桥电路输出功率区间连续性的同时降低上下管同时导通的概率,以降低开关管被击穿烧毁的概率。

    一种死区配置电路及芯片
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118694159A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202310286457.2

    申请日:2023-03-22

    发明人: 王亚蓉

    IPC分类号: H02M1/38 H02M1/08 H02M1/088

    摘要: 本发明提供一种死区配置电路包括:第一控制模块通过设置芯片的配置端口,使第一控制模块输出对应的第一控制信号;第一比较模块通过对比参考信号与第一控制信号输出对应的第一比较信号;第二控制模块基于第一比较信号及第一控制信号的调节操作,输出对应的第二控制信号;电流模块基于第二控制信号的使能进行电流泄放;第二比较模块通过对比工作电压与第一控制信号的电压,输出对应的第二比较信号,进而使芯片能够对死区时间进行调节,同时具备无死区时间的工作模式,扩展了非半桥驱动的应用场景,同时又能避免无死区时间模式、最小死区时间模式以及可调整死区时间模式之间的串扰,极大提高了电路系统的可靠性。

    一种逆变器非线性补偿方法、装置、电子设备和介质

    公开(公告)号:CN118659679A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202411147001.9

    申请日:2024-08-21

    摘要: 本发明提供了一种逆变器非线性补偿方法、装置、电子设备和介质,逆变器非线性补偿方法包括:采集误差电压和逆变器负载电流;根据误差电压和逆变器负载电流获得饱和误差电压值和误差电压非线性函数;根据误差电压非线性函数和电机相电流确定逆变器的第一补偿电压信号;将第一补偿电压信号进行坐标转化以获得第二补偿电压信号;通过第二补偿电压信号和电流环PI调节器的输出电压实现逆变器的闭环死区补偿;其中,误差电压为逆变器的实际输出电压和期望输出电压的差值。本发明解决由于逆变器输入和输出电压之间存在的偏差电压而影响系统的稳态和动态性能的技术问题。