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公开(公告)号：CN118818118A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410815443.X
申请日：2024-06-24
申请人： 浙江天际互感器股份有限公司
摘要： 本发明涉及电力测量技术领域，尤其涉及使用感应装置。技术方案如下：一种交直流磁场解耦补偿的电流互感器，其特征在于，包括互感器本体和补偿装置，所述补偿装置包括直流补偿绕组与自适应调节模块，所述直流补偿绕组与自适应调节模块连接，所述直流补偿绕组缠绕在所述互感器本体外围。解决了现有技术中精度较低、直流交流磁场互相干扰和可靠性差的问题，本发明提出了一种交直流磁场解耦补偿的电流互感器及其调节方法，达成了精度高、干扰小、自适应性强、可靠性高和适用性广的目的。
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公开(公告)号：CN118731799A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410356132.1
申请日：2024-03-27
申请人： 旭化成微电子株式会社
摘要： 本发明抑制由感应电动势引起的噪声和/或伴随着磁场分布的扩展的噪声。磁传感器(50)具备：电阻边(Ra)，其具有多个磁阻元件(51a)、将两个磁阻元件的上表面连接的电极片(52a)、将两个磁阻元件的下表面连接的电极片(53a)，多个磁阻元件由电极片按排列顺序交替连接；和电阻边(Rb)，其具有多个磁阻元件(51b)、将两个磁阻元件的上表面连接的电极片(52b)、将两个磁阻元件的下表面连接的电极片(53b)，多个磁阻元件由电极片按排列顺序交替连接，电极片(52a)配置为与电极片(53b)在上下方向上分离地交叉，电极片(53a)配置为与电极片(52b)在上下方向上分离地交叉。形成两个相反极性的部分环路，使伴随着感应电动势的噪声抵消。
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公开(公告)号：CN118642019A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410247484.3
申请日：2024-03-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本公开的实施例涉及具有涡流磁化屏蔽元件的磁阻传感器。本发明提出了一种磁阻传感器(100)，该磁阻传感器包括至少一个具有层堆叠(120)的磁阻元件(110)。所述层堆叠(120)具有至少一个自由层(114)，所述自由层具有在层平面中可变的磁化，该磁化根据平行于所述层平面作用的外部磁场(130)的场强而变化。此外，磁阻传感器(100)还具有屏蔽元件(140)，该屏蔽元件具有涡流磁化，该涡流磁化具有在层平面中的闭合通量(141)，其中屏蔽元件(140)被设计为在存在外部磁场(130)的情况下产生与外部磁场(130)反向定向的线性杂散磁场(150)。
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公开(公告)号：CN118613735A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380018843.1
申请日：2023-02-07
申请人： 阿尔卑斯阿尔派株式会社
摘要： 本发明所涉及的磁传感器(10)具备：基板(13)；磁探测元件(11)，其隔着绝缘层(14)形成于基板(13)上，相对于具有沿着基板(13)的面内方向的X轴方向上具有探测轴的磁场的输出信号特性是偶函数；交流电布线(12AC)，其能对磁探测元件(11)施加交流磁场；和直流电布线(12DC)，其能对磁探测元件(11)施加直流磁场，磁探测元件(11)、交流电布线(12AC)以及直流电布线(12DC)相互绝缘，交流电布线(12AC)的至少一部分埋设于基板(13)而形成，因此，在供给交流电流时，抑制了交流电布线的电阻上升导致的消耗电力的增加，磁分辨率高。
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公开(公告)号：CN118584407A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410671087.9
申请日：2024-05-27
申请人： 德丰电创科技股份有限公司
摘要： 本申请涉及一种采用磁性传感器(例如线性霍尔效应传感器或磁阻效应传感器)调速并具备对外部磁干扰屏蔽功能的非接触控制组件，包括控制组件外壳；磁性传感器；磁性元件；致动器；连接端口，用于与电机控制模块建立电源和信号连接，磁屏蔽壳，可操作地连接到致动器，磁性元件安装到致动器并位于磁屏蔽壳内，磁屏蔽壳包括具有两个开口面的三维闭环结构，响应于致动器相对于控制组件外壳的移动，磁性传感器可以通过磁屏蔽壳的其中一个开口面进入磁屏蔽壳的内部并在磁屏蔽壳的内部相对于磁性元件向磁屏蔽壳的另一个开口面移动，以有效消除非接触控制组件外部的磁信号源干扰磁性传感器对磁性元件响应于致动器的移动而产生的第一磁场读数和第二磁场读数的感测。
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公开(公告)号：CN118549860A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310160664.3
申请日：2023-02-24
申请人： 山东大学
摘要： 本发明提供了一种制备宽线性和高灵敏度巨磁阻抗传感器材料的方法，包括步骤：将导磁片设置于下铜片上，之后在导磁片上设置上铜片，得到组合件；之后将所得组合件在磁场作用下进行退火处理，即得到宽线性和高灵敏度巨磁阻抗传感器材料。本发明利用经过碎化处理后的非晶纳米晶导磁片裂纹处具有局部钉扎的作用，通过对其进行覆铜磁场退火，控制热处理过程中磁场大小以及磁场方向改变材料内部的磁结构，获得了兼具宽线性区间和高灵敏度两项优势的巨磁阻抗传感器材料，为磁传感器的设计制造提供新的工艺。
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公开(公告)号：CN118534383A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410631120.5
申请日：2024-05-21
申请人： 季华实验室
IPC分类号： G01R33/00 , H02K11/215 , G01R33/09
摘要： 本发明涉及磁传感器技术领域，公开了一种磁阻元件、磁传感器及其制备方法以及电机，该磁阻元件通过在每一磁阻结构设计两种延伸方向不同的第一磁阻条以及第二磁阻条，使之呈目标夹角设置，任一磁阻结构的第一磁阻条与当前磁阻结构的第二磁阻条呈第一相位差设置，任一磁阻结构的第一磁阻条与另一磁阻结构的第二磁阻条呈第二相位差设置；第一相位差与第二相位差具有倍数关系，以消除高次谐波，从而使得磁阻元件输出的高次谐波信号的有效值为零，从而实现消除高次谐波的目的。
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公开(公告)号：CN113811738B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202080035287.5
申请日：2020-02-18
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 久保田将司
摘要： 磁传感器(1)具备：角度传感器(10)，包含多个第1磁阻元件(111～114、121～124)，根据外部磁场的方向和基准方向所成的角度进行输出；以及磁场强度传感器(20)，包含多个第2磁阻元件(211～214、221～224)，基于外部磁场的强度进行输出，角度传感器(10)以及磁场强度传感器(20)相对于形成传感器的基准面的法线方向彼此相同，磁场强度传感器(20)根据外部磁场的方向和基准方向所成的角度而具有不同的输出特性，基于由角度传感器(10)感测到的外部磁场的方向和基准方向所成的角度与磁场强度传感器的输出来决定外部磁场的强度。
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公开(公告)号：CN112384815B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201980046210.5
申请日：2019-07-08
申请人： 玛特里克细胞研究所株式会社
摘要： 课题在于提供在使用磁传感器来检测检体内的磁体时能够降低磁传感器的配设位置处的磁场梯度的进行高灵敏度的检测的磁体检测装置。解决手段如下：将用于对磁体进行磁化的磁铁部(3)设为包括：磁铁主体部(5)；以及校正部(6)，配置于磁铁主体部(5)的前方来校正从磁铁主体部(5)产生的磁场，校正部(6)构成为通过将由磁铁主体部(5)产生的磁场抵消，从而形成成为所期望的磁场强度的特定位置(N)，并且通过根据校正部(6)的磁场梯度，使磁铁主体部(5)从磁铁部(3)的前端部(3a)分离，从而调节磁铁部(3)产生的磁场的磁场零点(N)处的磁场梯度，在形成于磁铁部(3)的前端部(3a)的磁场零点(N)处配置磁传感器(4)。
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