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公开(公告)号：CN113753851B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111171288.5
申请日：2021-10-08
申请人： 广东省国研科技研究中心有限公司
摘要： 本发明涉及一种三元复合储氢材料及其制备方法，属于储氢材料技术领域。以AlH3和硼基配位氢化物作为添加剂，与MgH2进行球磨，制得平均粒径在1μm以下的三元复合储氢材料，通过合理控制MgH2、AlH3和硼基配位氢化物的摩尔用量，能够有效改善三元复合储氢材料的储氢动力学和热力学，且将三元复合储氢材料的平均粒径控制在1μm以下，能够增大反应相之间的接触面积，缩短氢扩散的路径，从而有利于三元复合储氢材料的吸放氢。该方法简单易操作，且原料易得，适合扩大化生产。
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公开(公告)号：CN112158868B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202011048950.3
申请日：2020-09-29
申请人： 四川大学
IPC分类号： H01M10/0562 , C01F7/02 , C01B6/15 , H01M10/0525
摘要： 本发明涉及固体电解质技术领域，具体公开了一种纳米氧化物/锂硼氢氨化物高电导率固体电解质材料及其制备方法，该固体电解质的分子式为LiBH4·nNH3‑MxOy，n＝0.5～1，M为Li、B、Mg、Al、Si、Ti或Zr中的一种，MxOy的添加量为30％～75％，MxOy为纳米级粉末。将原材料锂硼氢、氨基锂、氢氧化锂和纳米氧化物MxOy在保护气氛下混合球磨，后在保护气氛下进行热处理，随炉冷却至室温，制成上述固体电解质。本发明中得到的固体电解质材料能够有效抑制锂硼氢氨化物在50～55℃下会产生相变的问题，室温下(30℃)离子电导率最高可以达到4.28×10‑3S·cm‑1。
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公开(公告)号：CN116477618A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310241112.5
申请日：2023-03-10
申请人： 内蒙古欣源石墨烯科技股份有限公司
IPC分类号： C01B32/21 , H01M4/587 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525 , C01B32/162 , C01F7/02 , C01B6/15 , B82Y40/00 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种锂离子电池用高能量密度快充负极材料及其制备方法，涉及锂离子电池材料制备技术领域。该负极材料制备过程为：将硫化锡、粘结剂、催化剂和石墨添加到有机溶剂中混合均匀，干燥，得到石墨前驱体，之后将石墨前驱体、硼氢化锂添加到含有有机铝盐的有机溶液中，与碱反应，反应完成后，过滤，之后在惰性气氛下碳化，即得。本发明利用硫化锡良好的储锂性能，催化剂的造孔功能及其硼氢化锂优异的锂离子导电性特性，提升其比容量及倍率性能；同时外层包覆的多孔氧化铝与硼氢化锂在充放电形成偏铝酸锂降低其不可逆容量，提升锂离子的传输速率，改善循环性能和倍率性能。
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公开(公告)号：CN112158868A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011048950.3
申请日：2020-09-29
申请人： 四川大学
IPC分类号： C01F7/02 , C01B6/15 , H01M10/0525 , H01M10/0562
摘要： 本发明涉及固体电解质技术领域，具体公开了一种纳米氧化物/锂硼氢氨化物高电导率固体电解质材料及其制备方法，该固体电解质的分子式为LiBH4·nNH3‑MxOy，n＝0.5～1，M为Li、B、Mg、Al、Si、Ti或Zr中的一种，MxOy的添加量为30％～75％，MxOy为纳米级粉末。将原材料锂硼氢、氨基锂、氢氧化锂和纳米氧化物MxOy在保护气氛下混合球磨，后在保护气氛下进行热处理，随炉冷却至室温，制成上述固体电解质。本发明中得到的固体电解质材料能够有效抑制锂硼氢氨化物在50～55℃下会产生相变的问题，室温下(30℃)离子电导率最高可以达到4.28×10‑3S·cm‑1。
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公开(公告)号：CN112088409A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980029812.X
申请日：2019-04-23
申请人： 日本特殊陶业株式会社
IPC分类号： H01B1/06 , C01B6/15 , H01B1/08 , H01G11/06 , H01G11/50 , H01G11/56 , H01M4/13 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M12/06 , H01M12/08
摘要： 提供：在不使用硫化物系离子传导体、且不进行焙烧、蒸镀的情况下，仅凭借对粉末进行加压成型就能够提高颗粒间的密接性，能够发挥高的锂离子传导率的离子传导体。离子传导体除了氧化物系锂离子传导体之外还包含络合氢化物。
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公开(公告)号：CN104607222B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510028613.0
申请日：2015-01-20
申请人： 浙江大学
CPC分类号： Y02E60/362 , Y02E60/364
摘要： 本发明涉及大孔碳担载碳化锂的制备，旨在提供一种大孔碳担载碳化锂的制备方法及在储氢材料中的应用。包括：将碳酸锂和碳源材料加入至去离子水中球磨混合均匀；喷雾干燥得到前驱体，煅烧后将固化产物在氩气氛保护下升温至900℃恒温煅烧，得到大孔碳担载碳化锂。本发明利用碳源材料碳化、碳酸锂气化造孔、碳与碳酸锂反应生成碳化锂的大孔碳(MPC)担载碳化锂(Li2C2)的制备方法，以及利用得到的大孔碳担载碳化锂对LiB(Al)H4改性，改善其吸放氢性能，降低了LiB(Al)H4吸放氢温度，实现体系的可逆吸放氢。对比传统催化剂，作为催化剂的Li2C2为原位合成，过程简单易行，具有高活性的优点。
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公开(公告)号：CN112441560B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201910798616.0
申请日：2019-08-27
申请人： 天津大学
摘要： 本发明公开一种二维层状硼掺杂锗烷及其制备方法，将Ca、Ge、B按一定的化学计量比封装在在管式炉中进行程序控温得到CaGe2‑2xB2x(x＝0.01‑0.05)前驱体，将得到的前驱体与盐酸在低温下进行反应，即可得到二维层状的半导体材料硼掺杂锗烷HGe1‑xBx(x＝0.01‑0.05)。这种二维材料在光电器件、储能、光催化等方面具有较大的潜在应用。
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公开(公告)号：CN104607222A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510028613.0
申请日：2015-01-20
申请人： 浙江大学
CPC分类号： Y02E60/362 , Y02E60/364
摘要： 本发明涉及大孔碳担载碳化锂的制备，旨在提供一种大孔碳担载碳化锂的制备方法及在储氢材料中的应用。包括：将碳酸锂和碳源材料加入至去离子水中球磨混合均匀；喷雾干燥得到前驱体，煅烧后将固化产物在氩气氛保护下升温至900℃恒温煅烧，得到大孔碳担载碳化锂。本发明利用碳源材料碳化、碳酸锂气化造孔、碳与碳酸锂反应生成碳化锂的大孔碳(MPC)担载碳化锂(Li2C2)的制备方法，以及利用得到的大孔碳担载碳化锂对LiB(Al)H4改性，改善其吸放氢性能，降低了LiB(Al)H4吸放氢温度，实现体系的可逆吸放氢。对比传统催化剂，作为催化剂的Li2C2为原位合成，过程简单易行，具有高活性的优点。
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