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公开(公告)号：CN101023708A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580024622.7
申请日：2005-05-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/5237 , H01L27/3209 , H01L27/3241 , H01L27/3244 , H01L51/5048 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L51/5278 , Y10S428/917 , Y10T428/24942
摘要： 本发明的一种发光元件包括在第一和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。在第m发光层(m是自然数：1≤m≤n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层被提供。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。钼氧化物用作为具有受电子特性的物质。
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公开(公告)号：CN100531497C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200580024622.7
申请日：2005-05-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/5237 , H01L27/3209 , H01L27/3241 , H01L27/3244 , H01L51/5048 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L51/5278 , Y10S428/917 , Y10T428/24942
摘要： 本发明的一种发光元件包括在第一和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。在第m发光层(m是自然数：1≤m≤n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层被提供。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。钼氧化物用作为具有受电子特性的物质。
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公开(公告)号：CN101640254B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN200910164536.6
申请日：2005-05-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/5237 , H01L27/3209 , H01L27/3241 , H01L27/3244 , H01L51/5048 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L51/5278 , Y10S428/917 , Y10T428/24942
摘要： 本发明的一种发光元件包括在第一和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。在第m发光层(m是自然数：1≤m≤n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层被提供。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。钼氧化物用作为具有受电子特性的物质。
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公开(公告)号：CN101640254A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910164536.6
申请日：2005-05-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/5237 , H01L27/3209 , H01L27/3241 , H01L27/3244 , H01L51/5048 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L51/5278 , Y10S428/917 , Y10T428/24942
摘要： 本发明的一种发光元件包括在第一和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。在第m发光层(m是自然数：1≤m≤n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层被提供。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。钼氧化物用作为具有受电子特性的物质。
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公开(公告)号：CN101640216B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910164537.0
申请日：2005-05-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/5237 , H01L27/3209 , H01L27/3241 , H01L27/3244 , H01L51/5048 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L51/5278 , Y10S428/917 , Y10T428/24942
摘要： 本发明的一种发光元件包括在第一和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。在第m发光层(m是自然数：1≤m≤n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层被提供。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。钼氧化物用作为具有受电子特性的物质。
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公开(公告)号：CN101640216A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910164537.0
申请日：2005-05-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/5237 , H01L27/3209 , H01L27/3241 , H01L27/3244 , H01L51/5048 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L51/5278 , Y10S428/917 , Y10T428/24942
摘要： 本发明的一种发光元件包括在第一和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。在第m发光层(m是自然数：1≤m≤n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层被提供。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。钼氧化物用作为具有受电子特性的物质。
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