集成光学波导干涉传感器

    公开(公告)号:CN102292665B

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201080004588.8

    申请日:2010-01-22

    IPC分类号: G02F1/01 G01N21/45

    摘要: 本发明涉及集成光学波导干涉仪,用于倏逝传感化学和/或物理量,包括带有波导层结构的基质,具有:-夹在两个第一包层之间的第一波导芯层,所述第一包层由第一下包层和第一上包层(6)构成,其折射率比第一波导芯层的折射率低,-夹在两个第二包层之间的第二波导芯层,所述第二包层由第二下包层和第二上包层(6)构成,其折射率比第二波导芯层的折射率低,-分光器(2)和组合器(5),分别在第一和第二接点处光学耦合所述第二和第二波导芯层,其特征在于:-聚合物包层材料(9)的调制部分,包含在多个第一上包层(6)之一和/或包含在多个第二上包层(6)之一里面,该聚合物包层材料覆盖第一和第二接点之间的第一波导芯层和/或第二波导芯层的可识别区域,所述聚合物包层材料的折射率在1.46至2.5之间并随温度变化,从而改变通过所述第一和第二波导芯层传播的辐射的相位,升高和降低所述聚合物包层材料(9)温度的装置。

    集成光学波导干涉传感器

    公开(公告)号:CN102292665A

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN201080004588.8

    申请日:2010-01-22

    IPC分类号: G02F1/01 G01N21/45

    摘要: 本发明涉及集成光学波导干涉仪,用于倏逝传感化学和/或物理量,包括带有波导层结构的基质,具有:夹在两个第一包层之间的第一波导芯层,所述第一包层由第一下包层和第一上包层(6)构成,其折射率比第一波导芯层的折射率低,夹在两个第二包层之间的第二波导芯层,所述第二包层由第二下包层和第二上包层(6)构成,其折射率比第二波导芯层的折射率低,分光器(2)和组合器(5),分别在第一和第二接点处光学耦合所述第二和第二波导芯层,其特征在于:聚合物包层材料(9)的调制部分,包含在多个第一上包层(6)之一和/或包含在多个第二上包层(6)之一里面,该聚合物包层材料覆盖第一和第二接点之间的第一波导芯层和/或第二波导芯层的可识别区域,所述聚合物包层材料的折射率在1.46至2.5之间并随温度变化,从而改变通过所述第一和第二波导芯层传播的辐射的相位,升高和降低所述聚合物包层材料(9)温度的装置。