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公开(公告)号：CN101316951B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200680044105.0
申请日：2006-10-25
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C02F1/46109 , C02F1/4672 , C02F2001/46133 , C02F2201/46115 , C25B1/13 , C25B11/03 , C25B11/0421 , C25B11/0447 , C25D17/10
Abstract: 本发明公开了金刚石电极(1)，其包含具有多个孔(4)的导电硅基材(2)；和覆盖所述导电硅基材(2)的导电金刚石(3)。还公开了用于制造这种金刚石电极的方法。此外，还公开一种电解池，其包含阳离子交换膜、阳极和阴极、以及集电器，其中所述阳极和所述阴极分别被布置为与所述阳离子交换膜两个面中的任何一面紧密接触，所述集电器分别被布置为以电可输送方式与所述阳极和所述阴极接触。在这种电解池中，至少所述阳极由所述金刚石电极组成，并且所述集电器由电解质液体可以渗透的导电非金属组成。所述电解池的制造成本低，无变形问题并且能够获得高电解效率。即，本发明提供其中在导电硅基材与导电金刚石之间几乎不发生层离的具有长寿命的金刚石电极，用于制造这种金刚石电极的方法和具有高电解效率和长寿命的电解池。
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公开(公告)号：CN106555207A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201611022130.0
申请日：2016-11-16
Applicant: 武汉理工大学
CPC classification number: C25B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25B11/02 , C25B11/0421 , C25B11/0478
Abstract: 本发明涉及一种场效应电催化产氢器件的制备方法，将至少一层二硒化钒纳米薄片分散到带有氧化层的硅基板上，其中纳米薄片作为沟道材料，氧化层作为介电层，在沟道材料的两端制作金属微电极；旋涂一层绝缘层，并在两金属微电极之间刻蚀出矩形窗口；在硅基板空白一侧除去氧化层，制作背栅电极的接触点，在器件表面注入电解液获得场效应电催化产氢器件。本发明的有益效果是：可以作为优化纳米材料电催化性能的新策略。
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公开(公告)号：CN101641296A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009287.7
申请日：2008-10-15
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C02F1/46109 , C01B32/25 , C02F1/4672 , C02F2001/46133 , C02F2001/46138 , C25B11/0421 , C25B11/0447
Abstract: 本发明提供了一种金刚石电极，在通过使用电解进行废水处理或生产功能性水的过程中，该金刚石电极没有造成对溶液的污染或者释放有毒物质，实现了能量效率的增强，具有优良的耐久性并且使用时间可以延长而没有损坏。本发明还提供了一种使用了上述电极的处理装置以及用于制造上述电极的方法。在根据本发明的金刚石电极(1a)中，电极(1a)包括覆盖硅基板(2)的一个表面的导电金刚石膜(3)。假设硅基板(2)的厚度为T(μm)并且所述导电金刚石膜(3)的厚度为t 1 (μm)，则它们之间的比率为0.0010≤t 1 /T≤0.022和10≤t 1 ≤70。
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公开(公告)号：CN105821440A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610337319.2
申请日：2016-05-21
Applicant: 江苏诚信药业有限公司
CPC classification number: C25B3/00 , C25B9/00 , C25B11/041 , C25B11/0415 , C25B11/0421 , C25B11/0473 , C25B13/02
Abstract: 本发明涉及一种电解法制备小分子抑制剂的工艺系统，包括电解槽、阴极（2）、阳极（3），还包括隔膜板，所述的电解槽内壁上有导入槽（4），所述隔膜板插入该导入槽（4），将所述电解槽分隔成阴电解槽（1）、阳电解槽（6）；所述隔膜板包括框架（7）、隔膜（5）。本发明适用于谷胱甘肽的制备。
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公开(公告)号：CN101316951A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680044105.0
申请日：2006-10-25
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C02F1/46109 , C02F1/4672 , C02F2001/46133 , C02F2201/46115 , C25B1/13 , C25B11/03 , C25B11/0421 , C25B11/0447 , C25D17/10
Abstract: 本发明公开了金刚石电极(1)，其包含具有多个孔(4)的导电硅基材(2)；和覆盖所述导电硅基材(2)的导电金刚石(3)。还公开了用于制造这种金刚石电极的方法。此外，还公开一种电解池，其包含阳离子交换膜、阳极和阴极、以及集电器，其中所述阳极和所述阴极分别被布置为与所述阳离子交换膜两个面中的任何一面紧密接触，所述集电器分别被布置为以电可输送方式与所述阳极和所述阴极接触。在这种电解池中，至少所述阳极由所述金刚石电极组成，并且所述集电器由电解质液体可以渗透的导电非金属组成。所述电解池的制造成本低，无变形问题并且能够获得高电解效率。即，本发明提供其中在导电硅基材与导电金刚石之间几乎不发生层离的具有长寿命的金刚石电极，用于制造这种金刚石电极的方法和具有高电解效率和长寿命的电解池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1965107A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018399.5
申请日：2005-06-03
Applicant: 德固赛引发剂有限及两合公司
CPC classification number: C25B11/0447 , C25B1/22 , C25B1/285 , C25B1/30 , C25B9/063 , C25B9/203 , C25B11/0405 , C25B11/0421
Abstract: 本发明描述了制备或再生过氧二硫酸和其盐的方法，其通过在金刚石涂覆的电极处由包含硫酸和/或金属硫酸盐的水溶液的电解而不加入促进剂进行，其中使用双极硅电极，该电极在一侧由金刚石涂覆和其未涂覆的硅背侧用作阴极。
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公开(公告)号：CN107513723A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710949886.8
申请日：2017-10-13
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
CPC classification number: Y02E60/366 , Y02P20/135 , C25B11/0405 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B11/0421 , C25B11/0447
Abstract: 本发明公开了一种降低Ni/n-Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法，通过对制备的Ni/n-Si光阳极进行一个简单的快速热处理过程，减少了存在于Ni/n-Si界面之间的界面态，解除了这些界面态引起的费米能级钉扎效应，提高了Ni/n-Si所形成的肖特基势垒高度，从而在光照时Ni/n-Si光阳极产生更高的光生电压，最终降低了Ni/n-Si光阳极光电化学分解水开启电位。该降低Ni/n-Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法操作简单，成本低廉，适合大规模应用到金属/n-Si光阳极系统中，对于促进光电化学分解水技术的发展和应用具有积极意义。
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公开(公告)号：CN106319556A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610837544.2
申请日：2016-09-21
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C25B11/0405 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B11/0421 , C25B11/0447
Abstract: 一种高效光电催化产氢电极的制备方法及应用。该方法以三维硅纳米柱为基底，利用光辅助-电化学沉积的方法，制备具有核-壳的p-Si/NiCoSex纳米柱光阴极。无定型的NiCoSex 展现了优异的电化学催化产氢性能(Tafel值约为39 mV/decade)和良好的透光性。该方法制备的p-Si/NiCoSex纳米柱阵列光阴极在很大程度上增强了可见光的吸收和光生载流子的产生和利用。在100mW/cm2的模拟太阳光下，其0 V（vs.RHE）下的光电流密度为-37.5 mA/cm2,是目前报道的以p-Si为基底的光阴极的最高值。该合成方法简单高效，绿色环保，并可推广到合成其它过渡金属硫族化合物，具有广泛的科学意义。
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公开(公告)号：CN101928954A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010216252.X
申请日：2010-06-23
Applicant: 氯工程公司
CPC classification number: C25B1/13 , C02F1/46109 , C02F1/4672 , C02F1/78 , C02F2001/46147 , C02F2201/46115 , C02F2201/4617 , C02F2201/46195 , C25B9/08 , C25B11/0421 , C25B11/0447
Abstract: 导电金刚石电极及使用该导电金刚石电极的臭氧生成器。该导电金刚石电极包括：基板，具有在所述导电金刚石电极的整个表面上设置的多个凹凸部分；以及涂覆在基板的表面上的金刚石膜，其中所述凹凸部分中的每个凸部的宽度在0.2mm到1mm的范围内。本发明能够提供使用导电金刚石薄膜和厚基板的导电金刚石电极，其比自支撑型导电金刚石电极便宜，并且还具有足以用于零间隙电解的机械强度，其在平稳的水供应或气体释放的状态下长时间稳定地运行。本发明还涉及使用该导电金刚石电极的臭氧生成器。
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公开(公告)号：CN106086933A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610599052.4
申请日：2016-07-27
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E60/366 , C25B11/0421 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B11/0447 , C25B11/0473
Abstract: 本发明提供了一种硅光阴极及其制备方法，该制备方法包括：S1)在硅电极与光阳极相对的表面上进行析氢催化剂修饰，得到修饰后的硅电极；S2)在步骤S1)得到的修饰后的硅电极不含析氢催化剂层的表面上制备钝化保护层，得到硅光阴极。与现有技术相比，本发明使析氢催化剂直接与硅表面接触，能形成较好的欧姆接触，可以减少电极的串联电阻，使其具有较好的电化学性能，提高了光阴极的填充因子以及光解水效率。
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