阻气膜和阻气膜的制造方法

    公开(公告)号:CN104023971B

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201280053719.0

    申请日:2012-10-12

    Abstract: 本发明提供具有优异的阻气性的阻气膜及这种阻气膜的制造方法。即,在基材上形成阻气层而成的阻气膜及这种阻气膜的制造方法,阻气层至少含有氧原子、硅原子、氮原子,将阻气层的与基材相接的面作为基材侧、将其相反面作为表面侧时,从表面侧朝向基材侧包含利用XPS测定而测得的氮量、硅量以及氧量成为以下关系的区域:按氧量>硅量>氮量的顺序形成的第1区域、按硅量>氧量>氮量的顺序形成的第2区域、按氧量>硅量>氮量的顺序形成的第3区域。

    阻气膜和阻气膜的制造方法

    公开(公告)号:CN104023971A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201280053719.0

    申请日:2012-10-12

    Abstract: 本发明提供具有优异的阻气性的阻气膜及这种阻气膜的制造方法。即,在基材上形成阻气层而成的阻气膜及这种阻气膜的制造方法,阻气层至少含有氧原子、硅原子、氮原子,将阻气层的与基材相接的面作为基材侧、将其相反面作为表面侧时,从表面侧朝向基材侧包含利用XPS测定而测得的氮量、硅量以及氧量成为以下关系的区域:按氧量>硅量>氮量的顺序形成的第1区域、按硅量>氧量>氮量的顺序形成的第2区域、按氧量>硅量>氮量的顺序形成的第3区域。

    成形体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备

    公开(公告)号:CN102356122B

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201080012283.1

    申请日:2010-03-16

    Abstract: 本发明是成形体,其是具有由至少含有氧原子和硅原子的材料构成的阻气层的成形体,其特征在于,相对于上述阻气层的表层部中的氧原子、氮原子和硅原子的存在总量,氧原子的存在比例为60~75%,氮原子的存在比例为0~10%,硅原子的存在比例为25~35%,且上述阻气层的表层部的膜密度为2.4~4.0g/cm3;上述成形体的制造方法,其具有在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的成形物的、上述含有聚硅氮烷化合物的层的表面部注入离子的工序;包含上述成形体的电子设备用构件;具有上述电子设备用构件的电子设备。根据本发明,可以提供具有优异的阻气性能、耐弯折性优异且透明性良好的成形体、其制造方法,包含该成形体的电子设备用构件和具有该电子设备用构件的电子设备。

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