公开(公告)号：CN101752385B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200910252724.4

申请日：2009-12-02

申请人： 超捷公司

发明人： N·杜 ,  H·冯·特兰 ,  A·利瓦伊

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L29/42328 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7885

摘要： 一种存储器装置及其制造方法，其中在半导体衬底的表面中形成沟槽。源极和漏极区域限定其间的沟道区域。漏极在沟槽下面形成。沟道区域包括沿着沟槽的底部壁延伸的第一部分、沿着沟槽的侧壁延伸的第二部分和沿着衬底表面延伸的第三部分。浮栅布置在沟道区域第三部分上面。控制栅布置在该浮栅上面。选择栅至少部分布置在沟槽中并且相邻于沟道区域第一部分和第二部分。擦除栅布置为相邻于该浮栅并与之绝缘。

公开(公告)号：CN101752385A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910252724.4

申请日：2009-12-02

申请人： 超捷公司

发明人： N·杜 ,  H·冯·特兰 ,  A·利瓦伊

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L29/42328 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7885

摘要： 一种存储器装置及其制造方法，其中在半导体衬底的表面中形成沟槽。源极和漏极区域限定其间的沟道区域。漏极在沟槽下面形成。沟道区域包括沿着沟槽的底部壁延伸的第一部分、沿着沟槽的侧壁延伸的第二部分和沿着衬底表面延伸的第三部分。浮栅布置在沟道区域第三部分上面。控制栅布置在该浮栅上面。选择栅至少部分布置在沟槽中并且相邻于沟道区域第一部分和第二部分。擦除栅布置为相邻于该浮栅并与之绝缘。