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公开(公告)号：CN112953505B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202110199398.6
申请日：2021-02-22
申请人： 英彼森半导体(珠海)有限公司
IPC分类号： H03K19/0185
摘要： 本发明公开了一种具有自保护功能的推挽输出缓冲器，包括：缓冲器，控制单元和阻断单元；所述缓冲器通过所述阻断单元与输入端连接，所述控制单元与所述缓冲器、所述阻断单元和输出端连接。通过控制单元感应干扰电压，控制阻断单元对输入信号进行阻断，保护电路元件的安全，且电容负载较小，对缓冲器频率影响低。
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公开(公告)号：CN115201550B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211126015.3
申请日：2022-09-16
申请人： 英彼森半导体(珠海)有限公司
发明人： 许海宁
IPC分类号： G01R19/00 , G01R1/36 , H03K19/0185
摘要： 本发明公开了一种高压输入检测电路，包括：MOS管电流镜Q1、Q2、Q3、Q4各自的源极并联后接入VCC；各自的栅极连接在一起，并与Q1的漏极连接；电流镜的输入电流由Ib提供；Q2的漏极与Q8的漏极连接，在两个漏极连接的线上中设有Input输入点；Q5，Q6，Q7为另外一组电流镜，它的输入电流由Q2提供；Q3的漏极与Q6的漏极连接，设有Vout1输出点，Q4的漏极与Q7的漏极连接，设有Vout2输出点。该检测电路可准确检测电平的状态，避免因输入高电平造成对低压器件的损坏，工作效益与安全系数高；电路结构简单，实用性强。
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公开(公告)号：CN115173854A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211084260.2
申请日：2022-09-06
申请人： 英彼森半导体(珠海)有限公司
发明人： 何昊
IPC分类号： H03K19/094
摘要： 本发明公开了一种自适应降低MOS管阈值电压电路，应用于NMOS管；包括两个电阻、三个MOS管和两个电流源；其中一号和二号MOS管的漏端分别与一号电阻和二号电阻的一端连接；一号和二号电阻的另一端均与电源连接；二号电流源分别与三号MOS管的漏端以及电源连接；三号MOS管的栅端、背栅端和漏端相互连接，形成第一背栅极电压；一号和二号MOS管的背栅端相互连接，形成第二背栅极电压；两个背栅极电压的端口相互连接；一号和二号MOS管的源端均与一号电流源的一端连接，形成源极电压；一号电流源的另一端用于接地；三号MOS管的源端与源极电压处的端口连接；通过该电路可以降低工艺的固有束缚，同时降低MOS管的阈值电压。
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公开(公告)号：CN115062579A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210935352.0
申请日：2022-08-05
申请人： 英彼森半导体(珠海)有限公司
发明人： 许海宁
IPC分类号： G06F30/394
摘要： 本发明公开了一种高匹配电阻走线方法及电路版图，其中，方法包括：确定高匹配电阻的最小电阻组件单元；最小电阻组件单元包括：沿水平线依次设置的电阻RA、电阻RB、电阻RB和电阻RA；第一个电阻RA和第二个电阻RA通过第一金属走线串联，构成第一轨迹走线；第一个电阻RB和第二个电阻RB通过第二金属走线串联，构成第二轨迹走线；第一轨迹走线与第二轨迹走线呈蛇形布置，且相互平行、长度相等；第一轨迹走线与所有电阻RB在空间上均不相交；第二轨迹走线与所有电阻RA在空间上均不相交；将N个最小电阻组件单元依次首尾相连，完成高匹配电阻走线。可在高匹配电阻的过程中，实现精确的比例放大或比例分压。
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公开(公告)号：CN114441941A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210091906.3
申请日：2022-01-26
申请人： 英彼森半导体(珠海)有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种线性稳压电源芯片的老化测试系统；包括：核心板、老化底板组件和万用表；老化底板组件由多个老化底板并联组成；核心板用于承载待测芯片，且核心板通过第一PCI插槽与对应的老化底板连接；每个老化底板均包括第一MCU芯片、第一模拟开关和第一COM接口；第一模拟开关在第一MCU芯片的控制下，用于将第一PCI插槽上对应的待测芯片的引脚信号发送至第一COM接口；万用表通过测量第一COM接口，获得待测芯片引脚的输入电压值、输出电压值、输入电流值和输出电流值；通过该系统能够对芯片测试过程中的关键数据进行实时监测、减少芯片测试所需空间，同时降低测试成本。
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公开(公告)号：CN112213620B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202010996959.0
申请日：2020-09-21
申请人： 英彼森半导体(珠海)有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种通信类器件的谐波失真测试电路，包括：选频电路、放大电路和比较器电路；选频电路、被测器件、放大电路和比较器电路依次连接；选频电路用于接收数字板卡生成的方波信号，并筛选出方波信号中的高次谐波信号；被测器件根据高次谐波信号输出相应幅度的电平信号；放大电路接收被测器件输出的电平信号，并对其进行放大；比较器电路接收放大后的电平信号，并将放大后的电平信号的幅度与预设阈值进行比较，若高于预设阈值，则判断被测器件的谐波失真超标。本发明能够实现利用低成本测试机台完成被测器件谐波失真的测试，在满足同等测试要求的前提下，大幅度降低器件的测试成本。
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公开(公告)号：CN115469708A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211424025.5
申请日：2022-11-15
申请人： 英彼森半导体(珠海)有限公司
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明公开了一种带隙基准启动电路，包括：非对称输入管比较器和开关管NM2；其中，P型MOS管PM4和n倍P型MOS管n*PM4分别连接带隙基准电路中电阻R1的顶端和底端；开关管NM2分别与P型MOS管PM4和N型MOS管NM1相连接；N型MOS管NM0与n倍P型MOS管n*PM4相连接；N型MOS管NM1分别与P型MOS管PM4、n倍P型MOS管n*PM4和N型MOS管NM0相连接。该启动电路可以灵活启动并关闭，不限于电流模或电压模结构，兼容足够小面积和超低静态功耗的同时，对带隙基准电路可以达到更精确的启动效果。
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公开(公告)号：CN115051702A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210978139.8
申请日：2022-08-16
申请人： 英彼森半导体(珠海)有限公司
发明人： 唐聪
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/00 , H03F1/02 , H03F3/45
摘要： 本发明公开了一种宽摆幅低功耗的源级跟随器，包括：基础源极跟随器电路和单极误差放大器电路；基础源极跟随器电路包括跟随器输入端、晶体管MA0、晶体管MA2和晶体管MB4并依次连接形成环路，还包括电流源I1；单极误差放大器电路包括差分对管、晶体管MA1和晶体管MB3并依次相连，还包括电流源I0；且差分对管设置于晶体管MB4和电流源I1输出级之间；差分对管包括晶体管MB1和晶体管MB2并依次相连；电流源I0的输入级与晶体管MA0的漏极相连，电流源I1的输出级分别与晶体管MB2的栅极和晶体管MB3的漏极相连。本发明可以在满足驱动能力的前提下，可以降低功耗，提升效率，且本发明结构保持了源级跟随器的高速、高稳定性、高线性度的应用要求。
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公开(公告)号：CN111813175A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010801443.6
申请日：2020-08-11
申请人： 英彼森半导体(珠海)有限公司
发明人： 胡锦通
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种高压大驱动高电源抑制比LDO，属于LDO技术领域。本发明针对现有技术中为提高电源抑制比对带片外电容LDO电路进行的改造，存在噪声大及电路稳定性差的问题。包括共源共栅阻性源退化电路和动态补偿电路，所述共源共栅阻性源退化电路采用NMOS差分对管输入，获得低压差固定一级输出电压；动态补偿电路对所述一级输出电压采用动态零点补偿以及动态偏置的方式，获得最终输出电压。本发明可使输出电压噪声大幅度降低，并保证工作点稳定。
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公开(公告)号：CN117459329A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311465608.7
申请日：2023-11-06
申请人： 英彼森半导体(珠海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种降低千兆以太网PHY芯片静态功耗的装置及方法，该装置分别与太网MAC芯片和模拟电路相连，以太网PHY芯片包括MAC/PHY接口、PCS以太网物理编码层、PMA以太网物理介质附加层和MDI接口，该装置包括：电源开关模块、隔离模块和PMU电源管理模块；该方法包括：收集MAC/PHY接口和MDI接口的工作状态信息，发送控制信号，分别隔离PCS以太网物理编码层与PMA以太网物理介质附加层之间、PMA以太网物理介质附加层与MDI接口之间、以及PCS以太网物理编码层与MAC/PHY接口之间的数据信号；分别控制PCS以太网物理编码层和PMA以太网物理介质附加层的电源的开关；本发明消除了千兆以太网PHY芯片的PCS和PMA的漏电流，防止对有电模块的功能和功耗产生不利影响。
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