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公开(公告)号：CN118386038B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410850394.3
申请日：2024-06-28
申请人： 徐州凯成科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种圆形凹台类蓝宝石晶片的加工方法，包括以下步骤：S1、对蓝宝石晶片外形粗加工，蓝宝石晶片为圆柱形结构，包括沿厚度方向分布第一表面、第二表面以及垂直于第一表面的第三表面；S2、对蓝宝石晶片外形精加工：在蓝宝石晶片上同时加工出第一R角和倒角；S3、对蓝宝石晶片外形进行精磨；S4、加工蓝宝石晶片的凹台：凹台包括第四表面、平台面和位于第四表面与平台面交界处的第二R角；S5、对蓝宝石晶片的外形和凹台进行精磨和抛光：包括对蓝宝石晶片的第四表面和第二R角精磨、对第一表面和平台面精磨、对第四表面和第二R角扫光以及对第一表面和第一R角抛光。本发明可以提升加工良率，减小并去除蓝宝石晶片表面损伤，使其透亮。
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公开(公告)号：CN115446671B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211401543.5
申请日：2022-11-10
申请人： 天通控股股份有限公司 , 徐州凯成科技有限公司
摘要： 本发明属于蓝宝石球面晶体技术领域，具体涉及一种蓝宝石球面晶体的制备方法，包括蓝宝石晶体生长步骤、蓝宝石晶体抛光成型步骤，其中引晶和生长的过程包括：下放籽晶，将籽晶按照1.5‑3mm/min的速度碰触液面，碰触到液面后观察籽晶的重量变化，通过调节生长或者融化的功率和调整上方通入的氩气冲入量在2‑20L/min，直到维持籽晶重量稳定，在稳定1‑3h后开始下降功率，开始长晶，在所述长晶过程完成后降温，晶体的位错密度≤1100ps/cm2，单晶性≤14弧秒；蓝宝石晶体抛光成型步骤包括：S4、球面一次粗抛，S5、球面二次粗抛，S6、球面精抛。本发明能够显著减少加工时间，降低加工成本，满足成品技术指标。
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公开(公告)号：CN110369904B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910568031.X
申请日：2019-06-27
申请人： 天通(嘉兴)新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种激光管帽的烧结方法，激光管帽包括金属壳、玻璃和焊料；金属壳为帽装，金属壳的顶部开设有孔洞，玻璃镶嵌于孔洞内，玻璃为球状，焊料填充于玻璃和金属壳之间的间隙内，焊料包括玻璃粉和载体溶剂，焊料初始状态为流态；激光管帽的烧结方法包括如下步骤：在高温烧结机中，将焊料涂覆于金属壳和玻璃的间隙，先进行低温烘烤定型，再进行高温烧结。本发明的激光管帽的烧结方法温度易于控制、温度敏感性低；焊料外形易于控住，烧结后产品能保持均匀流线体；封接良率高；批量性高。
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公开(公告)号：CN110369904A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910568031.X
申请日：2019-06-27
申请人： 天通(嘉兴)新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种激光管帽的烧结方法，激光管帽包括金属壳、玻璃和焊料；金属壳为帽装，金属壳的顶部开设有孔洞，玻璃镶嵌于孔洞内，玻璃为球状，焊料填充于玻璃和金属壳之间的间隙内，焊料包括玻璃粉和载体溶剂，焊料初始状态为流态；激光管帽的烧结方法包括如下步骤：在高温烧结机中，将焊料涂覆于金属壳和玻璃的间隙，先进行低温烘烤定型，再进行高温烧结。本发明的激光管帽的烧结方法温度易于控制、温度敏感性低；焊料外形易于控住，烧结后产品能保持均匀流线体；封接良率高；批量性高。
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公开(公告)号：CN118927427A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411022756.6
申请日：2024-07-29
申请人： 徐州凯成科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种蓝宝石导光块多线切割治具，包括安装基座，安装基座上方连接有固定件，所述固定件下表面设有第一凹槽，第一凹槽一侧设有贯通螺纹孔，贯通螺纹孔内设有第一螺丝，第一凹槽内相对贯通螺纹孔的一侧活动设有垫块；所述固定件上表面限位转动连接有连接件，固定件上设有固定螺纹孔，连接块上设有与固定螺纹孔相匹配的螺纹通孔，螺纹通孔内设有连接固定螺纹孔的第二螺丝；所述连接块上表面设有多组水平、竖直刻度线，同时公开了应用该切割治具的切割方法。本发明能够提高蓝宝石晶块的切割效率，有效消除金刚线倾斜角度形成的角度偏差，保证成品质量。
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公开(公告)号：CN118875527A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411338542.X
申请日：2024-09-25
申请人： 徐州凯成科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种蓝宝石激光切割方法，A、切割：根据产品尺寸选择合适蓝宝石晶片基本，并绘制切割图纸，设定切割路径、切割参数，切割完成后蓝宝石晶片基板形成切痕，但蓝宝石晶片基板不裂开，之后进行可靠性测试；B、镀膜：采用光刻机对蓝宝石晶片基本进行整体镀膜；C、裂片：通过真空吸附放置在裂片机的裂片底座上，在裂片底座上设有与蓝宝石晶片产品一一对应的吸附孔，在裂片底座下方设有镂空空间，设置与切割路径一致的裂片路径，并设置裂片参数，裂片完成、裂片线和产品线边缘开裂，产品被吸附在吸附孔上，其余晶片碎片落到镂空空间中。本发明能够进行多片批量加工，提高加工效率，同时保证产品良率。
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公开(公告)号：CN106291783A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610687620.6
申请日：2016-08-19
申请人： 天通(嘉兴)新材料有限公司
IPC分类号： G02B1/18
摘要： 本发明涉及透光元件表面镀膜技术领域，具体地说，涉及一种杀菌镀膜膜层结构及方法。该杀菌镀膜膜层结构包括用于设于基体表面的膜层本体，膜层本体包括至少一层膜层单元，膜层单元包括在远离基体表面的方向上依次层叠的膜层单元组件层A和膜层单元组件层B，膜层单元组件层A的材质为二氧化硅，膜层单元组件层B的材质为氯化银。本发明的膜层本体兼具较佳的杀菌性能和增透性能。
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公开(公告)号：CN118386037A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410850393.9
申请日：2024-06-28
申请人： 徐州凯成科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石晶片内凹面的精磨方法，将蓝宝石晶片内凹面划分为第Ⅰ区域、第Ⅱ区域和第Ⅲ区域，第Ⅰ区域，先对内凹面第Ⅰ区域进行研磨，然后研磨第Ⅱ区域，最后同时研磨第Ⅱ区域和第Ⅲ区域，通过这种分区域的研磨方式可以提高内凹面的研磨效率，且便于控制对R角的研磨程度，在保证R角不变形的前提下将R角磨透、磨亮；此外，在研磨第Ⅰ区域后、研磨第Ⅱ区域和第Ⅲ区域前对第Ⅱ区域进行研磨可以有效平衡第Ⅱ和第Ⅲ区域研磨时的表面去除量；设置铜丝刷旋转的同时在特定区域内做往返运动可以进一步提高研磨效率。本发明可以确保在不破坏蓝宝石晶片结构的条件下将R角磨透磨亮。
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公开(公告)号：CN117325062A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311305476.1
申请日：2023-10-10
申请人： 徐州凯成科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种改进型的精抛机构，包括：顶杆，顶杆的表面开设有引导腔，顶杆位于引导腔的内壁滑动连接有顶针，顶针的表面套设有导套，导套的内壁螺纹连接有铜磨头，铜磨头的内壁抵接有环形钢件，铜磨头的内壁转动连接有深沟球轴承，顶针的表面开设有导流腔，顶针表面的导流腔与引导腔的内壁相连通，顶针位于针头的一侧开设有连通孔；通过与顶杆相连的顶针，并利用其结构内的腔室相互配合，持续对冷却液进行引导，因通过顶杆和顶针引导的冷却液可全面覆盖打磨部位，使得机构在进行工作时的冷却效率进一步提高，为设备加工的冷却方式提供支持，实现了设备可对冷却液进行引导使其全面覆盖打磨部位的能力。
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公开(公告)号：CN115446671A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211401543.5
申请日：2022-11-10
申请人： 天通控股股份有限公司 , 徐州凯成科技有限公司
摘要： 本发明属于蓝宝石球面晶体技术领域，具体涉及一种蓝宝石球面晶体的制备方法，包括蓝宝石晶体生长步骤、蓝宝石晶体抛光成型步骤，其中引晶和生长的过程包括：下放籽晶，将籽晶按照1.5‑3mm/min的速度碰触液面，碰触到液面后观察籽晶的重量变化，通过调节生长或者融化的功率和调整上方通入的氩气冲入量在2‑20L/min，直到维持籽晶重量稳定，在稳定1‑3h后开始下降功率，开始长晶，在所述长晶过程完成后降温，晶体的位错密度≤1100ps/cm2，单晶性≤14弧秒；蓝宝石晶体抛光成型步骤包括：S4、球面一次粗抛，S5、球面二次粗抛，S6、球面精抛。本发明能够显著减少加工时间，降低加工成本，满足成品技术指标。
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