集成的自注入锁定锁相环光电振荡器

    公开(公告)号:CN108169930A

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201810051805.7

    申请日:2014-02-19

    摘要: 本发明详细介绍了具有频率和相位稳定性的集成光电振荡器(100)的制造指南,该振荡器在一个相对较小的尺寸(相比高阶电实现射频滤波器的较大尺寸)具有较高的频率选择性,降低温度敏感性以及减少频率漂移。集成光学组件(101、103、105、107)和射频振荡器(140)可使用利用CMOS和BiCMOS技术的硅光子和微电子集成,消除大体积和/或分立的光学和微波组件的需求。

    使用单片集成多量子阱激光器和相位调制器的光电振荡器

    公开(公告)号:CN112654915B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN201980058442.2

    申请日:2019-07-24

    摘要: 可调谐多模激光器(100)被配置为产生处于经调谐的波长处的多模光信号(160)。激光器(100)包括半导体光增益区域(110)、反馈区域(130)以及在增益区域和反馈区域之间的相位调制区域(120)。每个区域都可以是单片集成的。反馈回路耦接到可调谐激光器(100)以接收光信号(160)并且反馈回路包括至少一个延迟线(450)。延迟线(450)也可以是单片集成的。延迟线(450)的输出被反馈给可调谐多模激光器(100),以便为多模可调谐激光器(100)提供自注入锁定和自锁相环中的至少一个。激光器的光增益区域(110)和相位调制区域(120)中的每一个都被延迟线(450)的输出偏置,以便降低光信号(160)的相位漂移。

    集成的自注入锁定锁相环光电振荡器

    公开(公告)号:CN108169930B

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN201810051805.7

    申请日:2014-02-19

    摘要: 本发明详细介绍了具有频率和相位稳定性的集成光电振荡器(100)的制造指南,该振荡器在一个相对较小的尺寸(相比高阶电实现射频滤波器的较大尺寸)具有较高的频率选择性,降低温度敏感性以及减少频率漂移。集成光学组件(101、103、105、107)和射频振荡器(140)可使用利用CMOS和BiCMOS技术的硅光子和微电子集成,消除大体积和/或分立的光学和微波组件的需求。

    集成的自注入锁定锁相环光电振荡器

    公开(公告)号:CN108169930A8

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201810051805.7

    申请日:2014-02-19

    摘要: 本发明详细介绍了具有频率和相位稳定性的集成光电振荡器(100)的制造指南,该振荡器在一个相对较小的尺寸(相比高阶电实现射频滤波器的较大尺寸)具有较高的频率选择性,降低温度敏感性以及减少频率漂移。集成光学组件(101、103、105、107)和射频振荡器(140)可使用利用CMOS和BiCMOS技术的硅光子和微电子集成,消除大体积和/或分立的光学和微波组件的需求。

    使用单片集成多量子阱激光器和相位调制器的光电振荡器

    公开(公告)号:CN112654915A

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201980058442.2

    申请日:2019-07-24

    摘要: 可调谐多模激光器(100)被配置为产生处于经调谐的波长处的多模光信号(160)。激光器(100)包括半导体光增益区域(110)、反馈区域(130)以及在增益区域和反馈区域之间的相位调制区域(120)。每个区域都可以是单片集成的。反馈回路耦接到可调谐激光器(100)以接收光信号(160)并且反馈回路包括至少一个延迟线(450)。延迟线(450)也可以是单片集成的。延迟线(450)的输出被反馈给可调谐多模激光器(100),以便为多模可调谐激光器(100)提供自注入锁定和自锁相环中的至少一个。激光器的光增益区域(110)和相位调制区域(120)中的每一个都被延迟线(450)的输出偏置,以便降低光信号(160)的相位漂移。