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公开(公告)号：CN118734785A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411231793.8
申请日：2024-09-04
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： G06F30/392 , G06F30/398
摘要： 本申请提供一种多层曲线版图修正方法、装置、终端、介质及程序产品，该方法包括：在获取的多层曲线版图中确定需修正的曲线版图以及参考曲线版图；根据获取的目标包含距离，对所述参考曲线版图进行基于评估点的包含距离图案生成处理，以获得衍生曲线版图；对所述需修正的曲线版图以及所述衍生曲线版图进行合并，得到修正后的曲线版图。本申请利用参考曲线版图上的评估点和产生的包含距离图形，简单快速地实现了曲线版图本身的形状修正，以使修正版图与参考版图满足修正约束条件。
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公开(公告)号：CN118732381A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411225912.9
申请日：2024-09-03
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
IPC分类号： G03F1/36 , G06F30/398 , G03F7/20
摘要： 本申请提供曲线掩模版的OPC修正方法、装置、介质、程序产品及终端，通过从原始的曲线掩膜版图中提取线段信息，并基于预设的判定条件对提取到的线段进行多轮迭代优化，最终生成经过OPC修正的曲线掩膜版。本申请有效简化了版图复杂度，降低了线段和顶点的数量，从而提升了OPC修正的效率，并显著提高了版图处理效率。
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公开(公告)号：CN118709635A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411204926.2
申请日：2024-08-30
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
IPC分类号： G06F30/392
摘要： 本申请提供优化图形密度分布的版图生成方法、装置、介质、程序产品及终端，通过均衡化网格填充的方案，将原始曲线版图进行网格化，并填充空白网格，综合考虑周围版图图形，成功实现了对复杂曲线和不面规形状版图的有效填充。本申请在提高版图密度的同时，大大改善了版图的密度分布，确保了填充的均匀性，避免了由于填充不均造成的CMP效果不佳的问题。此外，本申请同时适用于曼哈顿版图和曲面版图，具备快速便捷的操作特性，并有效提高了版图利用率、设计效率和版图性能。
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公开(公告)号：CN118280868B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410705085.7
申请日：2024-06-03
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 陈敖
摘要： 本申请提供一种测量曲线图案线边缘粗糙度的方法、装置、终端、介质及程序产品，该方法包括：获取目标晶片的多个曝光场的扫描电子显微镜图像；对每个曝光场的扫描电子显微镜图像进行对准处理，获得每个曝光场的平均图像，进而通过轮廓提取的方式获得待测量曝光场的曲线图案的实际轮廓；对基于各曝光场的平均图像而获得的晶片平均图像进行轮廓提取，获得待测量曝光场的曲线图案的理想轮廓；通过计算待测量曝光场的曲线图案的实际轮廓对理想轮廓的平均偏差值，获得待测量曝光场的曲线图案的线边缘粗糙度。本申请的方法实现了对任意曲线图案的线边缘粗糙度的测量。并且采用本申请的方法提取的曲线图案的实际轮廓以及理想轮廓精度较高。
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公开(公告)号：CN118068662A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410480510.7
申请日：2024-04-22
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本申请公开了一种光学邻近校正模型的建模方法、使用方法及相关装置，属于光刻技术领域。本申请在光学邻近模型建模时收集多个不同图案在不同曝光剂量下的关键尺寸量测值，并以此得到每个图案的图像斜率。在优化模型参数时将仿真和量测的图像斜率值的差别加入目标函数。将量测的光刻后图像斜率引入建模的目标函数，使得模型既可以准确的预测光刻后图案轮廓，又可以准确地预测光刻后图像斜率信息，保证了光学邻近校正模型在各种应用场景下的精确度。
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公开(公告)号：CN117115194A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311367607.9
申请日：2023-10-20
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
摘要： 本发明涉及关键尺寸测量领域，特别是涉及一种基于电子显微镜图像的轮廓提取方法、装置、设备及介质，通过获取待处理电子显微镜图像；根据所述待处理电子显微镜图像，确定对应的图像梯度图；根据所述图像梯度图的极大值点的位置，确定图案内圈轮廓及图案外圈轮廓；确定所述图案内圈轮廓上的取样点，并在过所述取样点作对应切线的法线，将所述法线与所述图案外圈轮廓的交点作为取样交点；在所述取样点与对应的取样交点的连线线段上，确定所述取样点对应的边缘确认点，并根据全部的边缘确认点，确定图案最终轮廓，使所述图案最终轮廓的关键尺寸与量测关键尺寸的差值小于预设误差。本发明使得获得的图案最终轮廓和关键尺寸的量测值一致。
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公开(公告)号：CN116699939B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310990303.1
申请日：2023-08-08
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： G03F1/36
摘要： 本发明涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收目标版图；将所述目标版图进行OPC修正，得到待调掩膜；确定所述待调掩膜上各个相邻的边段间的错位距离；根据相邻的边段间的错位距离，确定处理组；所述处理组中包括在所述待调掩膜上连续的多个边段，且同一处理组内的相邻的边段间的错位距离小于调整阈值；将同一处理组内的边段调整至齐平，得到优化掩膜。本发明计算所述待调掩膜上的相邻边段之间的错位距离，将错位距离较小的边段合并对齐，以避免后续掩膜生产过程中掩膜版机台不必要的反复重新定位校准，大大缩短了掩模版制造的周期，提升了掩膜版的生产效率。
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公开(公告)号：CN116974139A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310964257.8
申请日：2023-08-01
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： G03F1/36 , G06T11/00 , G06T7/00 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/0475 , G06N3/084 , G03F7/20
摘要： 本发明涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种快速计算光刻掩膜图像的方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收目标版图；将所述目标版图输入神经网络模型，得到输出图像；所述神经网络模型在训练过程中的损失函数为训练输出图像与标准对照图像的差异的梯度的二范数；根据所述输出图像，确定光刻掩膜图像。本发明利用预训练的神经网络模型具有高数据吞吐和并发执行的特点，有效提升了光刻掩膜图像的计算效率，实现快速成像，同时使用训练输出图像与标准对照图像的差异的梯度的二范数作为所述神经网络模型的损失函数，可以有效利用神经网络的后向梯度，在提升模型的预测准确率的同时，还大大提升了所述神经网络模型的泛化能力。
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公开(公告)号：CN115661228B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211576048.8
申请日：2022-12-09
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明公开了一种光学临近修正方法及装置、电子设备。本发明提供的光学临近修正方法通过在生成光学临近修正目标图案时使用基于图案线宽和密度的化学机械研磨偏差规则表，充分考虑并补偿了蚀刻后到化学机械研磨后关键尺寸的偏差；进一步通过在掩膜板图案生成后的热点检测和验证步骤中，增加了化学机械研磨模型、并通过计算出蚀刻后到化学机械研磨后关键尺寸的偏差，从而基于蚀刻后仿真图案轮廓得到化学机械研磨后仿真图案轮廓，并基于所得到的化学机械研磨后仿真图案轮廓进行相关的热点预测和验证，检测化学机械研磨工艺相关的热点和缺陷，提高产品的良率。
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公开(公告)号：CN115453816B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211389283.4
申请日：2022-11-08
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及光学修正领域，特别是涉及一种光学临近效应修正方法、装置及设备，通过接收原始版图；对所述原始版图进行碎片化处理，得到待优化版图；根据预设的目标函数对所述待优化版图进行初步OPC优化，得到正交图形版图；确定所述正交图形版图中，间距小于掩膜版制造分辨率的对顶角，作为风险对顶角；对所述风险对顶角进行曲线拟合，将所述风险对顶角替换为对顶圆弧，得到修正掩膜版图。本发明中利用曲线拟合的方式，将原本正交图形中的对顶角替换为了圆弧，直观地拉开了角对角的距离，有效规避了掩膜版的对顶角之间的间距过近造成的实际生产中对顶角互连的问题，得到了易于实施且良品率更高，生产实物更接近设计版图的光学临近效应修正方法。
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