一种直拉N型单晶用硅料的铸锭生产方法

    公开(公告)号:CN118563411B

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202411050609.X

    申请日:2024-08-01

    摘要: 本发明公开了一种直拉N型单晶用硅料的铸锭生产方法,包括以下步骤S11:将原生多晶粉末硅料清洗处理;S12:将步骤S11得到的原生多晶粉末硅料、颗粒硅,装入喷涂好氮化硅涂层的石英坩埚中;S13:将步骤S12中的石英坩埚投入铸锭炉内采用DSS定向凝固法铸锭工艺提纯;S14:开方加工为直方体的毛方锭;S15:除杂和去头尾后得到次成品;S16:再经清洗和破碎处理为3~50mm规格的块料,即为N型单晶用硅料。本发明的制备方法简单,制备的N型单晶用硅料方锭的电阻率,头部>3Ω·cm,尾部>20Ω·cm,少子寿命均值≥15μs,可替代原生多晶硅料,作为直拉N型单晶用硅料使用。

    一种降低多晶铸锭硅锭粘埚率的喷涂方法

    公开(公告)号:CN117654840A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311590812.1

    申请日:2023-11-24

    IPC分类号: B05D1/02 B05D3/02 B05D7/00

    摘要: 本发明属于多晶硅技术领域,具体涉及一种降低多晶铸锭硅锭粘埚率的喷涂方法;其将重量为800~1000g的氮化硅粉、体积为2000~3000ml的去离子纯水、重量为300~400g的硅溶胶以及5~10g的聚乙烯醇粘结剂倒入量桶中混合,配置成氮化硅喷涂溶液;将配置好溶液的量桶放在搅拌台支架上,插入搅拌器并打开气动阀开始搅拌,搅拌时间不少于20分钟,配置好的氮化硅溶液需一直处于搅拌状态;将检验合格的石英坩埚抬放在坩埚加热台上进行加热,当石英坩埚内壁的温度达到50℃~70℃时,开始喷涂作业,喷涂工艺包括从横向路径喷涂和纵向路径喷涂。本发明其采用喷涂工艺路径进行单独加喷,增加该区域氮化硅涂层的厚度抵抗硅液冲刷、降低硅锭粘埚率。

    一种直拉N型单晶用硅料的铸锭生产方法

    公开(公告)号:CN118563411A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202411050609.X

    申请日:2024-08-01

    摘要: 本发明公开了一种直拉N型单晶用硅料的铸锭生产方法,包括以下步骤S11:将原生多晶粉末硅料清洗处理;S12:将步骤S11得到的原生多晶粉末硅料、颗粒硅,装入喷涂好氮化硅涂层的石英坩埚中;S13:将步骤S12中的石英坩埚投入铸锭炉内采用DSS定向凝固法铸锭工艺提纯;S14:开方加工为直方体的毛方锭;S15:除杂和去头尾后得到次成品;S16:再经清洗和破碎处理为3~50mm规格的块料,即为N型单晶用硅料。本发明的制备方法简单,制备的N型单晶用硅料方锭的电阻率,头部>3Ω·cm,尾部>20Ω·cm,少子寿命均值≥15μs,可替代原生多晶硅料,作为直拉N型单晶用硅料使用。

    可提升太阳能硅锭收率的坩埚及其制备方法

    公开(公告)号:CN110055584A

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201810157555.5

    申请日:2018-02-24

    摘要: 本发明公开了一种可提升太阳能硅锭收率的坩埚及其制备方法,坩埚包括石英坩埚本体、高纯八水合氢氧化钡涂层、高纯熔融石英浆料涂层、高纯石英晶片及脱模氮化硅涂层;制备方法包括(1)高纯八水合氢氧化钡涂层的制备,(2)高纯熔融石英浆料涂层的制备,(3)底部石英晶片的粘贴,(4)脱模氮化硅涂层的制备。本发明的优点在于,在石英坩埚本体内侧壁与脱模氮化硅涂层之间增加高纯八水合氢氧化钡涂层和高纯熔融石英浆料涂层,可起到阻隔杂质进入液态硅的效果,提高硅锭收率;底部粘贴一层高纯石英晶片,可以阻隔杂质进入液态硅中,提高硅锭质量,提升硅锭收率;脱模氮化硅涂层所用的脱模氮化硅溶液中β晶向氮化硅含量高,有利于硅锭形核。

    一种内置换热器及载气加热装置的多晶铸锭炉

    公开(公告)号:CN105671632B

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201610082941.3

    申请日:2016-02-03

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种内置换热器及载气加热装置的多晶铸锭炉,包括装配于铸锭炉内用于向炉内输送载气的引流装置、加热器及隔热笼,加热器设置在隔热笼内,引流装置装配在隔热笼的隔热板上,还包括用于加热载气的加热装置及换热器,所述加热装置和换热器设置在铸锭炉内,加热装置设置在隔热笼内,换热器设置在隔热笼外;所述换热器的输入端和载气的输气管连通,输出端和加热装置的输入端连通;所述加热装置的输出端和引流装置的输入端相连通。冷载气依次经换热器、加热装置加热后形成温度较高的热载气,而后将该热载气经引流装置吹射坩埚内的硅料;减少吹射区域液态硅组分的过冷度,降低甚至消除液态硅中由载气所促进的杂质形核以及杂质核生长。

    一种单晶硅埚底料的石英去除方法及装置

    公开(公告)号:CN117468097A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311452086.7

    申请日:2023-11-02

    IPC分类号: C30B35/00 C30B29/06 B08B3/08

    摘要: 本发明公开了一种单晶硅埚底料的石英去除方法,涉及单晶硅生产领域,包括以下步骤:S1:破碎分拣,其用于将埚底料进行破碎并分成大于100mm、20‑100mm以及20mm以下三种尺寸的埚底料;100mm以上的埚底料进行敲砸,以去除单晶硅上附着的大块石英;20‑100mm的埚底料剔除其中的石英;20mm以下的埚底料去除游离的石英;S2:酸洗,将上述步骤中剩余的埚底料采用氢氟酸浸泡,以去除硅料上的石英;S3:漂洗,其用于去除单晶硅上残留的氢氟酸。本发明提供的一种单晶硅埚底料的石英去除方法,通过上述物理的方法可以去除埚底料中的大部分石英,剩余的少量含有石英的埚底料采用氢氟酸酸洗,一方面可以缩短浸泡的时间,另一方面可以减少氢氟酸的消耗量。

    一种内置换热器及载气加热装置的多晶铸锭炉

    公开(公告)号:CN105671632A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610082941.3

    申请日:2016-02-03

    申请人: 陈鸽

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    CPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种内置换热器及载气加热装置的多晶铸锭炉,包括装配于铸锭炉内用于向炉内输送载气的引流装置、加热器及隔热笼,加热器设置在隔热笼内,引流装置装配在隔热笼的隔热板上,还包括用于加热载气的加热装置及换热器,所述加热装置和换热器设置在铸锭炉内,加热装置设置在隔热笼内,换热器设置在隔热笼外;所述换热器的输入端和载气的输气管连通,输出端和加热装置的输入端连通;所述加热装置的输出端和引流装置的输入端相连通。冷载气依次经换热器、加热装置加热后形成温度较高的热载气,而后将该热载气经引流装置吹射坩埚内的硅料;减少吹射区域液态硅组分的过冷度,降低甚至消除液态硅中由载气所促进的杂质形核以及杂质核生长。

    可提升太阳能硅锭收率的坩埚

    公开(公告)号:CN207919018U

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201820268902.7

    申请日:2018-02-24

    摘要: 本实用新型公开了一种可提升太阳能硅锭收率的坩埚及,其包括石英坩埚本体,在石英坩埚本体的内侧壁上由内至外依次设有高纯八水合氢氧化钡涂层、高纯熔融石英浆料涂层,在石英坩埚本体底部粘贴覆盖有高纯石英晶片,在高纯熔融石英浆料涂层内侧壁及高纯石英晶片顶面上喷涂有脱模氮化硅涂层。本实用新型的优点在于,在石英坩埚本体内侧壁与脱模氮化硅涂层之间增加高纯八水合氢氧化钡涂层和高纯熔融石英浆料涂层,可起到阻隔杂质进入液态硅的效果,提高硅锭收率;底部粘贴一层高纯石英晶片,可以阻隔杂质进入液态硅中,提高硅锭质量,提升硅锭收率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    油石修整砂轮装置
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207900940U

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201820051012.0

    申请日:2018-01-11

    IPC分类号: B24B53/06 B24B53/12

    摘要: 本实用新型公开了一种油石修整砂轮装置,其包括主体,主体的一对相对侧面上对称设有一对限位槽,限位槽内设有油石。本实用新型的优点在于,本实用新型使用安全,避免了砂轮在高速转动过程中手动修砂轮的安全隐患;本实用新型使用过程中解决了手动修整砂轮时施加力度和施力角度不稳定的问题,修整砂轮效果好;使用本实用新型工人不必进入设备中进行手动修整,减少人力劳动、节省修砂轮时间;较比普通手动修整砂轮本实用新型修整金刚石砂轮表面效果好,降低修整砂轮频次,有效提高设备使用率。

    陶瓷坩埚检验装置
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207894843U

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201820335861.9

    申请日:2018-03-12

    IPC分类号: G01N21/88

    摘要: 本实用新型公开了一种陶瓷坩埚检验装置,其特征在于,其包括中部设有通光口的支撑板;通光口上方设有下开口遮光箱体;下开口遮光箱体内设有照明系统;支撑板下表面与缓冲垫连接;支撑板下表面拐角处设有限位卡角,限位卡角穿过缓冲垫并置于缓冲垫外;下开口遮光箱体外侧壁上设有把手。本实用新型的优点在于,有效提高对待检陶瓷坩埚的照明效果;便于待检陶瓷坩埚的检验操作,降低检验人员的工作负荷;相比改进前斜视角的观测方法,本实用新型直视待检陶瓷坩埚的检验面,更易于观察待检陶瓷坩埚缺陷,有效避免陶瓷坩埚底棱和侧棱这些不易检验位置处缺陷漏检情况的发生。